[发明专利]一种大批量制备表面增强拉曼基底的基片台在审
| 申请号： | 201910665983.3 | 申请日： | 2019-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN110359024A | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 张政军;樊易航 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C23C14/50 | 分类号： | C23C14/50;C23C14/30;C23C14/16;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 陈波 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 表面增强拉曼 基片台 基底 环状体 银纳米 锥形体 检测技术领域 产品一致性 痕量有机物 表面粘贴 生产效率 台本发明 阵列薄膜 支撑架 可用 沉积 生长 | ||
1.一种大批量制备表面增强拉曼基底的基片台，其特征在于：包括环状体及其支撑架，所述环状体上设置多个锥形体，所述锥形体的两个表面粘贴多个基片。
2.根据权利要求1所述的基片台，其特征在于，所述锥形体的上边和底边为圆弧曲线。
3.根据权利要求1所述的基片台，其特征在于，所述锥形体全部位于竖直方向。
4.根据权利要求2所述的基片台，其特征在于，所述圆弧曲线的锥角为6度至8度，并且锥角平分线沿竖直方向。
5.权利要求1～4任意一项所述基片台制备表面增强拉曼基底的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)预处理基片；
(2)将预处理过的基片粘贴在基片台上；
(3)将基片台与蒸发源对齐；
(4)将电子束蒸发腔室抽真空；
(5)在基片台的基片上沉积纳米斜棒阵列薄膜，形成拉曼基底。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述预处理为将单面抛光的硅基片用丙酮、无水乙醇、去离子水逐一超声清洗并晾干。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤(2)所述基片均布在锥形体的两个表面。
8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤(3)所述蒸发源为坩埚，其位于环状体圆心的正下方；所述蒸发源束流方向与基片成86度。
9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤(4)所述电子束蒸发腔室的真空度为4*10-4Pa。
10.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤(5)所述沉积在室温进行，采用金属银为靶材，控制银的镀率为在基片台的基底上共沉积长度约为600nm的银纳米斜棒阵列薄膜。
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