[发明专利]一种大批量制备表面增强拉曼基底的基片台

说明书

本发明属于痕量有机物检测技术领域，涉及一种可以同时大批量制备表面增强拉曼基底的基片台，其可用于大批量制备表面增强拉曼基底。所述基片台包括环状体及其支撑架，所述环状体上设置多个锥形体，所述锥形体的两个表面粘贴多个基片。本发明的基片台，可以采用倾斜生长法同时在多个基片上沉积银纳米棒。由多基片银纳米棒构成的阵列薄膜，具有较好的产品一致性，可以提高传统制备方法的生产效率。

技术领域

本发明属于痕量有机物检测技术领域，特别涉及一种能够大批量制备表面增强拉曼基底的基片台。

背景技术

表面增强拉曼效应作为一种痕量物质检测方法，以其高灵敏度、快速检测、低费用、无损分析等优点被广泛应用于环境污染物检测、食品安全检测、生物及医疗等领域。通常采用金、银或铜等贵金属材料制备高灵敏度的表面增强拉曼基底，其中银纳米结构基底的表面增强拉曼效果最好。由于贵金属的价格较高，而电子束蒸镀的方由于空间扩散为球形，大量原料沉积在腔壁上，造成大量浪费。

为了改善其不足，本发明以倾斜生长技术为基本原理，蒸发源束流方向与基片成86-87度，并且采用大量的圆弧结构，粘贴更多的基片，使蒸发出的原料得到更充分应用，并保证每一片基片与蒸发束流的夹角为需要的86至87度。

发明内容

本发明的目的是设计一种新型的能同时大量制备表面增强拉曼基底的基片台。

为了达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种大批量制备表面增强拉曼基底的基片台，其包括环状体及其支撑架，所述环状体上设置多个锥形体，所述锥形体的两个表面粘贴多个基片。

所述锥形体的上边和底边为圆弧曲线。

所述锥形体全部位于竖直方向。

所述锥形圆弧曲线的锥角为6度至8度，并且锥角平分线沿竖直方向。

所述基片台制备表面增强拉曼基底的方法，包括以下步骤：

(1)预处理基片；

(2)将预处理过的基片粘贴在基片台上；

(3)将基片台与蒸发源对齐；

(4)将电子束蒸发腔室抽真空；

(5)在基片台的基片上沉积纳米斜棒阵列薄膜，形成拉曼基底。

进一步，步骤(1)所述预处理为将单面抛光的硅基片用丙酮、无水乙醇、去离子水逐一超声清洗并晾干。

进一步，步骤(2)所述基片均布在锥形体的两个表面。

进一步，步骤(3)所述蒸发源为坩埚，其位于环状体圆心的正下方；所述蒸发源束流方向与基片成86度。

进一步，步骤(4)所述电子束蒸发腔室的真空度为4*10^-4Pa。

进一步，步骤(5)所述沉积在室温进行，采用金属银为靶材，控制银的镀率为在基片台的基底上共沉积长度约为600nm的银纳米斜棒阵列薄膜。

本发明的有益效果，本发明的基片台，可以采用倾斜生长法同时在多个基片上沉积银纳米棒。由多基片银纳米棒构成的阵列薄膜，具有较好的产品一致性，可以提高传统制备方法的生产效率。

附图说明

图1为本发明基片台的外观图。

图2为本发明沉积出来的银纳米棒阵列表面增强拉曼基底的电镜照片。

图3为本发明实施例制备的银纳米棒阵列的R6G分子的拉曼增强信号图。

具体实施方式

本发明采用倾斜生长法在基片台上同时沉积多个银纳米棒阵列的表面增强拉曼基底。