[发明专利]一种键合焊点的保护方法在审
申请号: | 201910667117.8 | 申请日: | 2019-07-23 |
公开(公告)号: | CN110349872A | 公开(公告)日: | 2019-10-18 |
发明(设计)人: | 杨斌;崔成强;周章桥;张昱;杨冠南 | 申请(专利权)人: | 广东禾木科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 杭州聚邦知识产权代理有限公司 33269 | 代理人: | 周美锋 |
地址: | 528225 广东省佛山市南海区狮山镇南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 焊点 喷嘴 瓷嘴 键合 流体 喷射 键合焊点 焊接 机台 引线键合技术 独立设置 键合过程 排列形状 时间滞后 运动控制 时间差 打线 烧球 固化 | ||
本发明涉及引线键合技术领域,具体公开了一种键合焊点的保护方法,包括以下步骤:在键合过程中,独立设置喷嘴,所述喷嘴与瓷嘴同时进行运动控制,所述喷嘴设置一个,喷嘴的排列形状为单一圆形;烧球后瓷嘴键合第一焊点,当焊接完一列后,瓷嘴升起,喷嘴向每列焊点整体喷射保护流体,所述喷嘴开始工作时间滞后于瓷嘴键合时间;瓷嘴键合第二焊点,当焊接完一列后,瓷嘴升起,喷嘴向每列焊点喷射保护流体,在机台本身温度下进行固化,对焊点进行保护。本发明利用喷嘴和瓷嘴之间的时间差,在瓷嘴完成第一焊点和第二焊点的键合打线后,喷嘴开始向第一焊点和第二焊点喷射保护流体,以达到对第一焊点和第二焊点的有效保护。
技术领域
本发明涉及引线键合技术领域,具体是一种键合焊点的保护方法。
背景技术
键合丝(Bonding Wire)是传统集成电路、半导体分立器件及LED光源器件封装产品中的四大基础原材料之一,是芯片与支架间重要的焊接引线。随着集成电路及半导体器件向高密度、高集成度和小型化发展,军工产品、智能手机、无人驾驶汽车、物联网等众多领域对半导体封装工艺、技术、产品质量的要求越来越高,键合丝品质的优劣决定了微电子IC封装产品的性能。然而,大多数的键合丝由于材料的限制,其丝材非常容易氧化变质,使得打线后的键合丝使用寿命短,影响芯片互连的可靠性。
目前针对不同材料键合丝的防腐蚀问题,研发出了各种不同的保护工艺,如针对银丝、铜丝的防腐蚀有:镀贵金属、镀光亮银、铬酸化学钝化、浸涂有机防变色剂等方法。
这些方法虽然在一定程度上可以有效延长键合丝的存储和保护时间,但是在键合丝焊线(Wire Bonding,WB)过程时,经过电子烧球(Electronic Flame-Off,EFO)后,键合丝表面的保护层在高温下会大量分解,使得烧成的金属球(Free-air Ball,FAB)表面得不到有效保护,最终导致第一焊点、第二焊点完全暴露于外部氛围之中,极大的影响芯片互连的可靠性和电气性能。
因此,如何有效的对键合丝焊线后焊点进行保护,是目前引线键合过程中存在的一大难题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种键合焊点的保护方法,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种键合焊点的保护方法,包括以下步骤:
1)在键合过程中,独立设置喷嘴,所述喷嘴与瓷嘴同时进行运动控制,所述喷嘴设置一个,喷嘴的排列形状为单一圆形;
2)烧球后瓷嘴键合第一焊点,当焊接完一列后,瓷嘴升起,喷嘴向每列焊点整体喷射保护流体,所述喷嘴开始工作时间滞后于瓷嘴键合时间;
3)瓷嘴键合第二焊点,当焊接完一列后,瓷嘴升起,喷嘴向每列焊点喷射保护流体,在机台本身温度下进行固化,对焊点进行保护;
4)保护流体在机台本身温度下固化,对焊点进行保护。
作为本发明进一步的方案:步骤1)中,所述喷嘴独立设置运动机构进行控制。
作为本发明进一步的方案:步骤1)中,所述喷嘴的排列形状为直列方形、阵列方形、阵列点阵以及环盘形中的一种。
作为本发明进一步的方案:所述喷嘴的排列形状根据焊接阵列形状而定。
作为本发明进一步的方案:步骤1)中,所述喷嘴设置多个。
作为本发明进一步的方案:步骤2)中,所述保护流体为有机杂环类化合物材料、有机硅化物材料、有机咪唑类化合物以及树脂材料中的一种。
作为本发明进一步的方案:所述保护流体为苯并三氮唑。
作为本发明进一步的方案:步骤4)中,所述固化在烘干装置下进行。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造