[发明专利]一种晶圆键合堆叠芯片的封装结构及制备方法在审
| 申请号： | 201910667794.X | 申请日： | 2019-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN110349933A | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 任玉龙;曹立强 | 申请（专利权）人： | 上海先方半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 李钦晓 |
| 地址： | 200131 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 堆叠芯片 封装结构 制备 晶圆级芯片 晶圆键合 芯片 圆键 种晶 导电通孔 堆叠设置 信号互连 引出端子 键合层 体积小 侧壁 产能 焊盘 合体 键合 通孔 制程 封装 连通 损伤 制作 | ||
1.一种晶圆键合堆叠芯片的封装结构，其特征在于，包括：
芯片键合体，包括堆叠设置的多个单体晶圆级芯片，所述单体晶圆级芯片之间通过键合层键合；
导电通孔，与各个单体晶圆级芯片的功能引出端子连通。
2.根据权利要求1所述的晶圆键合堆叠芯片的封装结构，其特征在于，还包括：模封材料，包覆所述芯片键合体。
3.根据权利要求1或2所述的晶圆键合堆叠芯片的封装结构，其特征在于，还包括：重布线层，形成于所述芯片键合体一侧，通过导电通孔实现与所述芯片键合体的电连接。
4.根据权利要求3所述的晶圆键合堆叠芯片的封装结构，其特征在于，还包括：多个凸点，设置于所述重布线层的多个焊盘上。
5.根据权利要求1所述的晶圆键合堆叠芯片的封装结构，其特征在于，所述键合层为有机粘合剂。
6.根据权利要求1所述的晶圆键合堆叠芯片的封装结构，其特征在于，所述导电通孔内填充导电胶或导电金属。
7.一种晶圆键合堆叠芯片的封装结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
将预设数量晶圆级芯片通过键合层进行键合，形成芯片键合体；
将所述芯片键合体进行切割，形成多个单颗模块；
将所述多个单颗模块进行封装，形成重组晶圆；
在位于键合层的晶圆级芯片功能引出端子的相应位置形成导电通孔。
8.根据权利要求7所述的晶圆键合堆叠芯片的封装结构的制备方法，其特征在于，所述将预设数量晶圆级芯片通过键合层进行键合的步骤之前，还包括：
将晶圆级芯片键合面的相对面进行减薄处理。
9.根据权利要求7所述的晶圆键合堆叠芯片的封装结构的制备方法，其特征在于，所述在位于键合层的晶圆级芯片功能引出端子的相应位置形成导电通孔的步骤之后，还包括：
在通孔中填充导电介质，并将导电介质进行电镀互连，形成重布线层。
10.根据权利要求9所述的晶圆键合堆叠芯片的封装结构的制备方法，其特征在于，所述在通孔中填充导电介质，并将导电介质进行电镀互连，形成重布线层的步骤之后，还包括：
在重布线层进行凸点制备。
11.根据权利要求10所述的晶圆键合堆叠芯片的封装结构的制备方法，其特征在于，所述在重布线层进行凸点制备的步骤之后，还包括：
对重组晶圆进行切割，形成单颗晶圆级芯片结构。
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