[发明专利]一种晶圆光刻方法及晶圆光刻用光罩组件有效
申请号: | 201910668011.X | 申请日: | 2019-07-23 |
公开(公告)号: | CN110488573B | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 凌坚;孙彬 | 申请(专利权)人: | 厦门通富微电子有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F1/66 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 李庆波 |
地址: | 361000 福建省厦门市中国(福建)自由贸易试验区*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 圆光 方法 用光 组件 | ||
1.一种晶圆光刻方法,其特征在于,所述晶圆光刻方法包括:
在晶圆表面涂覆一层负性光刻胶;
利用产品光罩的视场对至少位于所述晶圆边缘的所述负性光刻胶按预设的曝光单元区域进行逐个曝光,其中,位于所述晶圆边缘的所述曝光单元区域包括产品有效区和/或产品无效区;
将空白光罩的视场的至少部分边缘对准所述产品无效区的至少部分边缘,将所述空白光罩的视场覆盖至少部分所述产品无效区,进行曝光,其中,所述空白光罩可用于至少两种规格的产品光罩;
对所述晶圆表面的所述负性光刻胶进行显影。
2.根据权利要求1所述的晶圆光刻方法,其特征在于,
若所述空白光罩的视场小于所述产品无效区,则进行曝光后,再次将所述空白光罩的视场至少部分边缘对准所述产品无效区的其余边缘,将所述空白光罩的视场覆盖未曝光的剩余至少部分所述产品无效区,再次进行曝光,直至将所述产品无效区全部曝光。
3.根据权利要求1所述的晶圆光刻方法,其特征在于,若所述空白光罩的视场大于等于所述产品无效区,所述将空白光罩的视场的至少部分边缘对准所述产品无效区的至少部分边缘,将所述空白光罩的视场覆盖至少部分所述产品无效区,进行曝光,包括:
将所述空白光罩的视场的至少部分边缘对准所述产品无效区的至少部分边缘,将所述空白光罩的视场完全覆盖所述产品无效区,且不覆盖所述产品有效区。
4.根据权利要求1所述的晶圆光刻方法,其特征在于,
位于所述晶圆边缘的所述曝光单元区域全部为产品无效区、或位于所述晶圆边缘的所述曝光单元区域包括产品无效区和产品有效区;
其中,所述产品无效区为矩形。
5.根据权利要求4所述的晶圆光刻方法,其特征在于,所述空白光罩的视场为矩形,所述将空白光罩的视场的至少部分边缘对准所述产品无效区的至少部分边缘,包括:
若当前所述曝光单元区域位于所述晶圆的左上区域,则所述空白光罩的视场的右下角至少部分边缘与所述产品无效区的右下角至少部分边缘重合;
若当前所述曝光单元区域位于所述晶圆的左下区域,则所述空白光罩的视场的右上角至少部分边缘与所述产品无效区的右上角至少部分边缘重合;
若当前所述曝光单元区域位于所述晶圆的右上区域,所述空白光罩的视场的左下角至少部分边缘与所述产品无效区的左下角至少部分边缘重合;
若当前所述曝光单元区域位于所述晶圆的右下区域,则所述空白光罩的视场的左上角至少部分边缘与所述产品无效区的左上角至少部分边缘重合。
6.根据权利要求1所述的晶圆光刻方法,其特征在于,所述利用产品光罩的视场对至少位于所述晶圆边缘的所述负性光刻胶按预设的曝光单元区域进行逐个曝光,包括:
利用所述产品光罩的视场对位于所述晶圆边缘位置的所有所述曝光单元区域逐个进行曝光处理;或,
利用所述产品光罩的视场对位于所述晶圆边缘位置的仅包含所述产品有效区的所述曝光单元区域逐个进行曝光处理。
7.根据权利要求1所述的晶圆光刻方法,其特征在于,所述对所述晶圆表面的所述负性光刻胶进行显影之前,所述晶圆光刻方法还包括:
利用所述产品光罩的视场对除位于所述晶圆的边缘位置以外的其他所有曝光单元区域逐个进行曝光。
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