[发明专利]一种用于5G通讯中的静电保护电路

权利要求书

1.一种用于5G通讯中的静电保护电路，包括：一检测电路，由第一电阻R1和第一电容C1组成；一缓存电路，由第一反相器INV1，第二反相器INV2，第三反相器INV3，第二电阻R2，第二电容C2，第一NMOS晶体管NM1，第二NMOS晶体管NM2，第一PMOS晶体管PM1和第二PMOS晶体管PM2组成；一泄放电路，由第三NMOS晶体管NM3组成。

2.如权要1所述，其特征在于：所述的检测电路，第一电容C1和第一电阻R1串联后并作为检测电路的输出端，电容C1的另外一端和地连接，电阻R1的另外一端和电源VDD连接；所述缓存电路，检测电路的输出端、第一反相器INV1的输入端和第三反相器INV3的输入端相连在一起，第一反相器INV1的输出端和第二反相器INV2的输入端连接，第二反相器INV2的输出端和第二PMOS管PM2的栅极相连接，INV3的输出端和第一NMOS管NM1的栅极连接，NM1管的源极接地，NM1管的漏极、第二电容C2的一端、第二电阻R2的一端和第二NMOS管NM2的栅极连接在一起，电容C2的另外一端接地，电阻R2的另外一端和第一PMOS管PM1的漏极连接，PM1管的源极接VDD，NM2管的源极接地，NM2管的漏极、PM1管的栅极、PM2管的漏极和第三NMOS管NM3的栅极连接在一起；所述泄放电路，第三NMOS管NM3源极和地连接，NM3管的漏极和VDD连接。