[发明专利]一种芯片清洗装置及方法在审
申请号: | 201910669699.3 | 申请日: | 2019-07-24 |
公开(公告)号: | CN110416127A | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 杨晓峰;胡奥欣;陶瀛;金源政 | 申请(专利权)人: | 武汉大学深圳研究院 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B7/00 |
代理公司: | 广东德而赛律师事务所 44322 | 代理人: | 叶秀进 |
地址: | 518057 广东省深圳市南山区科*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 喷头 清洗 芯片 芯片清洗装置 喷射装置 清洗台 清洁剂 二氧化碳气体 高压二氧化碳 管道连通 清洁效果 清洗效率 污垢清除 应用需求 剥离力 可回收 清洗室 干冰 加载 喷射 腐蚀 室内 清洁 | ||
1.一种芯片清洗装置,其特征在于,包括有:
一清洗室(5);
一清洗台(12),设于所述清洗室(5)内,且所述清洗台(12)用于放置待清洗的芯片;
至少一个喷头(8),位于所述清洗台(12)上方,且所述喷头(8)朝向待清洗的芯片;
一喷射装置(20),其通过管道(6)连通于所述喷头(8),所述喷射装置(20)用于将混合有干冰粉的高压二氧化碳气流经过所述管道(6)加载于所述喷头(8),借由所述喷头(8)喷射于芯片上进行清洗。
2.如权利要求1所述的芯片清洗装置,其特征在于,所述喷射装置(20)包括有二氧化碳储气罐(1)、干冰制造机(2)、第一高压泵(3)和干冰粉碎过滤装置(4),所述干冰制造机(2)的气体输入端连通于所述二氧化碳储气罐(1),所述干冰制造机(2)的干冰输出端连通于所述干冰粉碎过滤装置(4),所述第一高压泵(3)的输入端连通于所述二氧化碳储气罐(1),所述第一高压泵(3)的输出端连通于所述管道(6),所述干冰粉碎过滤装置(4)的干冰粉输出端连通于所述第一高压泵(3)与所述喷头(8)之间的管道(6)上,所述干冰制造机(2)产生的干冰输送至所述干冰粉碎过滤装置(4),所述干冰粉碎过滤装置(4)将干冰粉碎后形成干冰粉并输送至所述管道(6)内,借由所述第一高压泵(3)抽取所述二氧化碳储气罐(1)内的二氧化碳气体并向所述管道(6)内注入高压二氧化碳气流,进而在所述管道(6)内将干冰粉与二氧化碳气流相混合。
3.如权利要求1所述的芯片清洗装置,其特征在于,所述清洗室(5)内设有平移驱动机构(17)、横轴(21)和纵轴(22),所述横轴(21)和纵轴(22)垂直交叉,所述横轴(21)和纵轴(22)的交叉处设有滑块(9),所述滑块(9)均滑动连接于所述横轴(21)和纵轴(22),所述喷头(8)设于所述滑块(9)上,借由所述平移驱动机构(17)驱使所述横轴(21)横向平移以及驱使所述纵轴(22)纵向平移,以令所述滑块(9)带动所述喷头(8)横向或者纵向平移。
4.如权利要求3所述的芯片清洗装置,其特征在于,所述滑块(9)上设有升降架(10),所述喷头(8)安装于所述升降架(10)上,借由所述升降架(10)驱使所述喷头(8)上升或者下降。
5.如权利要求1所述的芯片清洗装置,其特征在于,所述清洗室(5)的底部设有气体收集口(13),所述气体收集口(13)连通有废气过滤装置(14),所述废气过滤装置(14)通过管路连通于气体收集储气罐(16),且所述废气过滤装置(14)与所述气体收集储气罐(16)之间的管路上设有第二高压泵(15)。
6.如权利要求1所述的芯片清洗装置,其特征在于,所述清洗室(5)的侧部设有用于取送芯片的开门(501)。
7.如权利要求1所述的芯片清洗装置,其特征在于,所述喷头(8)为自旋转式喷头。
8.如权利要求7所述的芯片清洗装置,其特征在于,所述喷头(8)包括有第一侧面射流孔(801)、第二侧面射流孔(801)和竖直射流孔(803),所述第一侧面射流孔(801)和第二侧面射流孔(801)分别向左右两侧倾斜。
9.如权利要求8所述的芯片清洗装置,其特征在于,所述喷头(8)内设有两个呈“八”形设置的分流挡板(804),所述分流挡板(804)与所述喷头(8)转动连接,且两个分流挡板(804)的下端分别抵挡于竖直射流孔(803)的内壁,所述喷头(8)内设有两个挡块(805),两个挡块(805)位于两个分流挡板(804)之间,且两个挡块(805)分别靠近两个分流挡板(804)的下端,当所述喷头(8)内有气流通过时,利用气流驱使两个分流挡板(804)翻转并且分别抵挡于两个挡块(805),以令所述第一侧面射流孔(801)、第二侧面射流孔(801)和竖直射流孔(803)均呈打开状态。
10.一种芯片清洗方法,其特征在于,所述方法基于一装置实现,所述装置包括有一清洗室(5)、一清洗台(12)、至少一个喷头(8)及一喷射装置(20),所述喷头(8)为自旋转式喷头,所述喷射装置(20)包括有二氧化碳储气罐(1)、干冰制造机(2)、第一高压泵(3)和干冰粉碎过滤装置(4),所述干冰制造机(2)的气体输入端连通于所述二氧化碳储气罐(1),所述干冰制造机(2)的干冰输出端连通于所述干冰粉碎过滤装置(4),所述第一高压泵(3)的输入端连通于所述二氧化碳储气罐(1),所述第一高压泵(3)的输出端连通于所述管道(6),所述干冰粉碎过滤装置(4)的干冰粉输出端连通于所述第一高压泵(3)与所述喷头(8)之间的管道(6)上,所述清洗室(5)内设有平移驱动机构(17)、横轴(21)和纵轴(22),所述横轴(21)和纵轴(22)垂直交叉,所述横轴(21)和纵轴(22)的交叉处设有滑块(9),所述滑块(9)均滑动连接于所述横轴(21)和纵轴(22),所述喷头(8)设于所述滑块(9)上,所述方法包括如下步骤:
步骤S1,将待清洗的芯片放置于所述清洗台(12)上;
步骤S2,所述第一高压泵(3)抽取所述二氧化碳储气罐(1)内的二氧化碳气体,并向所述管道(6)内注入高压二氧化碳气流;
步骤S3,所述干冰制造机(2)产生的干冰输送至所述干冰粉碎过滤装置(4);
步骤S4,所述干冰粉碎过滤装置(4)将干冰粉碎后形成干冰粉并输送至所述管道(6)内,并在所述管道(6)内将干冰粉与二氧化碳气流相混合;
步骤S6,混合有干冰粉的高压二氧化碳气流经过所述管道(6)加载于所述喷头(8),利用自旋转式喷头(8)旋转喷射于芯片上进行清洗;
步骤S7,清洗过程中,所述平移驱动机构(17)驱使所述横轴(21)横向平移以及驱使所述纵轴(22)纵向平移,并利用所述滑块(9)带动所述喷头(8)横向或者纵向平移,进而调整清洗位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造