[发明专利]一种芯片清洗装置及方法在审
申请号: | 201910669699.3 | 申请日: | 2019-07-24 |
公开(公告)号: | CN110416127A | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 杨晓峰;胡奥欣;陶瀛;金源政 | 申请(专利权)人: | 武汉大学深圳研究院 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B7/00 |
代理公司: | 广东德而赛律师事务所 44322 | 代理人: | 叶秀进 |
地址: | 518057 广东省深圳市南山区科*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 喷头 清洗 芯片 芯片清洗装置 喷射装置 清洗台 清洁剂 二氧化碳气体 高压二氧化碳 管道连通 清洁效果 清洗效率 污垢清除 应用需求 剥离力 可回收 清洗室 干冰 加载 喷射 腐蚀 室内 清洁 | ||
本发明公开了一种芯片清洗装置,其包括有:一清洗室;一清洗台,设于所述清洗室内,且所述清洗台用于放置待清洗的芯片;至少一个喷头,位于所述清洗台上方,且所述喷头朝向待清洗的芯片;一喷射装置,其通过管道连通于所述喷头,所述喷射装置用于将混合有干冰粉的高压二氧化碳气流经过所述管道加载于所述喷头,借由所述喷头喷射于芯片上进行清洗。本发明利用强大的剥离力将芯片上的污垢清除,因此清洁效果更好、清洗效率更高,同时本发明不适用任何清洁剂,不仅避免了污染环境,而且不腐蚀芯片,此外,本发明在清洁后的二氧化碳气体还可回收利用,有效节省了清洗成本,较好地满足了应用需求。
技术领域
本发明涉及芯片清洗设备,尤其涉及一种芯片清洗装置及方法。
背景技术
现有技术中,对于芯片清洗领域,清洗的效率以及清洗过程中对芯片的损害程度是影响清洗效果的重要因素,普通的化学方法清洗芯片不仅清洗效率低下,在清洗过后还会有一定的残留物腐蚀芯片,添加的化学洗剂对环境也会造成相应的污染,由此可见,现有芯片清洗领域缺少一套完整独立的清洗系统以提高清洗的效率。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于,针对现有技术的不足,提供一种清洁效果好、清洗效率高、不污染环境、不腐蚀芯片、节省成本的芯片清洗装置及方法。
为解决上述技术问题,本发明采用如下技术方案。
一种芯片清洗装置,其包括有:一清洗室;一清洗台,设于所述清洗室内,且所述清洗台用于放置待清洗的芯片;至少一个喷头,位于所述清洗台上方,且所述喷头朝向待清洗的芯片;一喷射装置,其通过管道连通于所述喷头,所述喷射装置用于将混合有干冰粉的高压二氧化碳气流经过所述管道加载于所述喷头,借由所述喷头喷射于芯片上进行清洗。
优选地,所述喷射装置包括有二氧化碳储气罐、干冰制造机、第一高压泵和干冰粉碎过滤装置,所述干冰制造机的气体输入端连通于所述二氧化碳储气罐,所述干冰制造机的干冰输出端连通于所述干冰粉碎过滤装置,所述第一高压泵的输入端连通于所述二氧化碳储气罐,所述第一高压泵的输出端连通于所述管道,所述干冰粉碎过滤装置的干冰粉输出端连通于所述第一高压泵与所述喷头之间的管道上,所述干冰制造机产生的干冰输送至所述干冰粉碎过滤装置,所述干冰粉碎过滤装置将干冰粉碎后形成干冰粉并输送至所述管道内,借由所述第一高压泵抽取所述二氧化碳储气罐内的二氧化碳气体并向所述管道内注入高压二氧化碳气流,进而在所述管道内将干冰粉与二氧化碳气流相混合。
优选地,所述清洗室内设有平移驱动机构、横轴和纵轴,所述横轴和纵轴垂直交叉,所述横轴和纵轴的交叉处设有滑块,所述滑块均滑动连接于所述横轴和纵轴,所述喷头设于所述滑块上,借由所述平移驱动机构驱使所述横轴横向平移以及驱使所述纵轴纵向平移,以令所述滑块带动所述喷头横向或者纵向平移。
优选地,所述滑块上设有升降架,所述喷头安装于所述升降架上,借由所述升降架驱使所述喷头上升或者下降。
优选地,所述清洗室的底部设有气体收集口,所述气体收集口连通有废气过滤装置,所述废气过滤装置通过管路连通于气体收集储气罐,且所述废气过滤装置与所述气体收集储气罐之间的管路上设有第二高压泵。
优选地,所述清洗室的侧部设有用于取送芯片的开门。
优选地,所述喷头为自旋转式喷头。
优选地,所述喷头包括有第一侧面射流孔、第二侧面射流孔和竖直射流孔,所述第一侧面射流孔和第二侧面射流孔分别向左右两侧倾斜。
优选地,所述喷头内设有两个呈“八”形设置的分流挡板,所述分流挡板与所述喷头转动连接,且两个分流挡板的下端分别抵挡于竖直射流孔的内壁,所述喷头内设有两个挡块,两个挡块位于两个分流挡板之间,且两个挡块分别靠近两个分流挡板的下端,当所述喷头内有气流通过时,利用气流驱使两个分流挡板翻转并且分别抵挡于两个挡块,以令所述第一侧面射流孔、第二侧面射流孔和竖直射流孔均呈打开状态。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造