[发明专利]基板处理装置和基板处理方法在审
申请号: | 201910669888.0 | 申请日: | 2019-07-24 |
公开(公告)号: | CN111696884A | 公开(公告)日: | 2020-09-22 |
发明(设计)人: | 田边万奈;高居康介;增井健二;梅泽华织 | 申请(专利权)人: | 东芝存储器株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 段承恩;王潇悦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
1.一种基板处理方法,包括以下步骤:
使冷却介质与基板的第2面接触来冷却所述基板,所述冷却介质的温度为处理液的凝固点以下,所述第2面是与所述基板的成为清洗面的第1面相反的面;
向所述第1面上的异物的位置滴下所述处理液的液滴,形成所述液滴冻结而成的液滴冻结部;
将所述液滴冻结部除去。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法,
反复进行多次所述液滴冻结部的形成。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法,
还包括:在所述基板的冷却前获取异物位置信息,所述异物位置信息包括所述基板的所述第1面上的所述异物的位置,
在所述液滴冻结部的形成中,根据所述异物位置信息滴下所述液滴。
4.根据权利要求1所述的基板处理方法,
还包括:在所述基板的冷却前,在所述第1面上的整个面形成所述处理液的液膜,
在所述基板的冷却中形成凝固层,所述凝固层是在所述第1面上的整个面形成的所述处理液的液膜凝固而成的,
在所述液滴冻结部的除去中,将所述液滴冻结部和所述凝固层熔化并除去。
5.根据权利要求1所述的基板处理方法,
还包括:在所述基板的冷却前使所述第1面疏水化。
6.根据权利要求5所述的基板处理方法,
在所述基板的疏水化中,通过有机物修饰所述第1面。
7.一种基板处理装置,具备基板保持部、处理液供给部、凝固部、驱动部和控制部,
所述基板保持部将基板以第1面朝上的方式保持,
所述处理液供给部包括向所述第1面上供给处理液的喷嘴,
所述凝固部使被供给到所述第1面上的所述处理液凝固,
所述驱动部使所述喷嘴相对于所述基板保持部进行相对移动,
所述控制部根据表示所述第1面上的异物的位置的异物位置信息,控制所述驱动部以使得所述喷嘴配置在所述异物的位置上,并控制所述处理液供给部以使得向所述异物的位置滴下所述处理液的液滴。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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