[发明专利]基板处理装置和基板处理方法

说明书

本发明提供基板处理装置和基板处理方法。根据一实施方式，使冷却介质与基板的第2面接触来冷却所述基板，所述冷却介质的温度为处理液的凝固点以下，所述第2面是与所述基板的成为清洗面的第1面相反的面。接着，向所述第1面上的异物的位置滴下所述处理液的液滴，形成所述液滴冻结而成的液滴冻结部。然后，将所述液滴冻结部除去。

本申请基于2019年03月15日提出的日本专利申请第2019-048424号要求优先权，将其全部内容援引于此。

技术领域

本发明的实施方式涉及基板处理方法和基板处理装置。

背景技术

以往，已知使冷却介质与基板的背面接触，使形成于基板整个正面的液膜冻结而形成冻结膜，通过除去冻结膜，将附着在基板正面的异物除去的清洗技术。

但是，现有技术中，即使在基板正面的想要除去的异物数量为多个的情况下，也在整个正面形成冻结膜，反复执行将该冻结膜熔化的处理，由此进行清洗。因此，有可能会对配置于不存在异物的区域的图案造成损害。

发明内容

本发明的一实施方式提供能够抑制对配置于不存在异物的区域的图案的损害的基板处理方法和基板处理装置。

根据本发明的一实施方式，使冷却介质与基板的第2面接触来冷却所述基板，所述冷却介质的温度为处理液的凝固点以下，所述第2面是与所述基板的成为清洗面的第1面相反的面。接着，向所述第1面上的异物的位置滴下所述处理液的液滴，形成所述液滴冻结而成的液滴冻结部。然后，将所述液滴冻结部除去。

根据上述技术构成，可提供能够抑制对配置于不存在异物的区域的图案的损害的基板处理方法和基板处理装置。

附图说明

图1是示意性地表示第1实施方式涉及的基板处理方法的步骤的一例的图。

图2是示意性地表示第1实施方式涉及的基板处理装置的结构的一例的图。

图3是示意性地表示第1实施方式涉及的基板处理装置的结构的另一例的图。

图4是示意性地表示第2实施方式涉及的基板处理方法的步骤的一例的图。

具体实施方式

以下，参照附图对实施方式涉及的基板处理方法和基板处理装置进行详细说明。再者，本发明并不限定于这些实施方式。

(第1实施方式)

图1是示意性地表示第1实施方式涉及的基板处理方法的步骤的一例的图。如图1(a)所示，在载置台11上载置作为处理对象的基板200。此时，基板200以清洗面朝上侧的方式载置。基板200上附着有异物220。以在载置台11与基板200的下表面之间形成空隙的方式，在载置台11的支持部111上支持基板200。基板200是在压印处理中使用的模板、在曝光处理中使用的掩模、或半导体基板等。接着，在基板200的上表面形成处理液膜210。例如，可以采用旋涂法，使滴在基板200上的处理液扩散到基板200的整个上表面，形成处理液膜210。作为处理液，可以使用纯水、去离子水等。

然后，如图1(b)所示，向基板200的下表面侧供给温度低于处理液的凝固温度的冷却介质130，使处理液膜210冻结(凝固)。由此，从处理液膜210的基板200侧起形成作为凝固层的冻结层210a。冻结层210a成为在之后的工序中能够通过向异物220的位置滴下的处理液的液滴使冻结层210a熔化到冻结层210a的下表面的厚度。冻结层210a在异物220的位置以外的区域具有作为保护膜的功能。作为冷却介质，使用冷却至低于处理液的凝固点的温度的氮气等气体、或液氮、液体氟利昂等液体。