[发明专利]检测系统、在其中进行多次编程的方法和显示装置在审

专利信息
申请号: 201910669909.9 申请日: 2019-07-24
公开(公告)号: CN110827725A 公开(公告)日: 2020-02-21
发明(设计)人: 权明昊 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: G09G3/00 分类号: G09G3/00
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 尹淑梅;刘灿强
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 检测 系统 其中 进行 多次 编程 方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种检测系统,所述检测系统包括:

显示装置,包括非易失性存储器;

检测装置,被配置为产生用于施加到所述非易失性存储器的写入电压;以及

保护部,被配置为当所述写入电压在可允许的电压范围内时,将所述写入电压施加到所述非易失性存储器,并且被配置为当所述写入电压不在所述可允许的电压范围内时,不将所述写入电压施加到所述非易失性存储器,将所述写入电压施加到所述非易失性存储器使能多次编程操作,在所述多次编程操作中将参考数据写入到所述非易失性存储器。

2.根据权利要求1所述的检测系统,其中,所述检测装置包括被配置为产生所述写入电压的检测控制器,并且

其中,所述保护部连接在所述检测控制器与所述非易失性存储器之间。

3.根据权利要求2所述的检测系统,其中,所述保护部位于所述显示装置中。

4.根据权利要求2所述的检测系统,其中,所述保护部位于所述检测装置中。

5.根据权利要求2所述的检测系统,其中,所述保护部包括:

第一比较器,被配置为对第一参考电压和所述写入电压进行比较;

第二比较器,被配置为对第二参考电压和所述写入电压进行比较;以及

逻辑电路,被配置为基于所述第一比较器的输出信号和所述第二比较器的输出信号产生用于控制是否将所述写入电压施加到所述非易失性存储器的写入控制信号。

6.根据权利要求5所述的检测系统,其中,所述第一参考电压是所述可允许的电压范围内的最低电压,所述第二参考电压是所述可允许的电压范围内的最高电压,并且所述逻辑电路是NOR逻辑运算符。

7.根据权利要求5所述的检测系统,其中,所述第一参考电压是所述可允许的电压范围内的最高电压,所述第二参考电压是所述可允许的电压范围内的最低电压,并且所述逻辑电路是AND逻辑运算符。

8.根据权利要求5所述的检测系统,其中,所述非易失性存储器包括:

多次编程单元元件,包括多个一次编程单元;以及

电压控制器,被配置为响应于所述写入控制信号来控制是否将所述写入电压施加到所述多次编程单元元件。

9.根据权利要求8所述的检测系统,其中,所述一次编程单元被配置为最初保持“0”状态,并且被配置为在偏置电压被施加时从所述“0”状态变为“1”状态。

10.根据权利要求8所述的检测系统,其中,所述电压控制器包括晶体管,所述晶体管包括被配置为接收所述写入控制信号的控制电极、被配置为接收所述写入电压的第一电极和连接到所述多次编程单元元件的第二电极。

11.一种将参考数据多次编程到显示装置中的非易失性存储器的方法,所述方法包括:

产生用于写入到所述非易失性存储器的写入电压;以及

当所述写入电压在可允许的电压范围内时,将所述写入电压施加到所述非易失性存储器,并且

当所述写入电压不在所述可允许的电压范围内时,不将所述写入电压施加到所述非易失性存储器。

12.根据权利要求11所述的方法,所述方法还包括:

对第一参考电压和所述写入电压进行比较;

对第二参考电压和所述写入电压进行比较;以及

基于对所述第一参考电压和所述写入电压进行的所述比较和对所述第二参考电压和所述写入电压进行的所述比较,产生用于控制是否将所述写入电压施加到所述非易失性存储器的写入控制信号。

13.根据权利要求12所述的方法,其中,所述第一参考电压是所述可允许的电压范围内的最低电压,所述第二参考电压是所述可允许的电压范围内的最高电压,并且通过使用NOR逻辑运算符产生所述写入控制信号。

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