[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，该半导体装置包括：

层叠结构，所述层叠结构包括彼此交替层叠的层间绝缘层和电极图案；以及

支撑件，所述支撑件穿过所述层叠结构，

其中，所述电极图案中的每一个包括被所述支撑件贯穿的第一导电图案、沿着所述层叠结构的侧部延伸的至少一个第二导电图案以及设置在所述第一导电图案与所述支撑件之间的至少一个第三导电图案，并且

其中，所述第一导电图案包含第一导电材料，并且所述第二导电图案和所述第三导电图案中的每一个包含电阻比所述第一导电材料的电阻低的第二导电材料。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一导电图案在所述第二导电图案与所述第三导电图案之间延伸。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二导电图案联接到所述第三导电图案。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装置还包括穿过所述层叠结构的沟道结构。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述支撑件包括朝向所述层叠结构的两侧突出以形成T形的突出部。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第三导电图案沿着所述突出部中的至少一个的侧壁延伸。

7.一种半导体装置，该半导体装置包括：

层间绝缘层，所述层间绝缘层彼此间隔开地层叠；

支撑件，所述支撑件穿过所述层间绝缘层；

至少一个开口，所述至少一个开口穿过所述层间绝缘层以使所述支撑件的侧壁暴露；以及

电极图案，所述电极图案填充所述层间绝缘层之间的空间，

其中，该半导体装置还包括穿过所述层间绝缘层的多个狭缝，

其中，所述至少一个开口沿着所述支撑件的面向所述多个狭缝中的至少一个狭缝的侧壁形成。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述电极图案中的每一个包括：

第一导电图案，所述第一导电图案被所述支撑件贯穿；

第二导电图案，所述第二导电图案与所述狭缝中的每一个相邻设置，并且沿着所述第一导电图案的面向所述狭缝中的每一个狭缝的侧部延伸；以及

第三导电图案，所述第三导电图案与所述至少一个开口中的一个开口相邻设置。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述第一导电图案包含第一导电材料，并且

其中，所述第二导电图案和所述第三导电图案中的每一个包含电阻比所述第一导电材料的电阻低的第二导电材料。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述第一导电图案在所述第二导电图案与所述第三导电图案之间延伸。

11.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述第二导电图案联接到所述第三导电图案。

12.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述支撑件包括朝向所述狭缝突出以形成T形的突出部，并且

其中，所述第三导电图案沿着所述突出部中的至少一个的侧壁延伸。

13.根据权利要求7所述的半导体装置，该半导体装置还包括穿过所述层间绝缘层和所述电极图案的沟道结构。

14.一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：

形成包括层间绝缘层和牺牲层的层叠结构，所述层间绝缘层和所述牺牲层包围支撑件并且彼此交替地层叠；

形成穿过所述层叠结构的狭缝，其中，所述支撑件被设置在所述狭缝之间；

形成穿过所述层叠结构的第一开口，其中，所述第一开口使所述支撑件的侧部敞开；

通过经由所述狭缝和所述第一开口去除所述牺牲层来形成第二开口；以及

经由所述狭缝和所述第一开口在所述第二开口中的每一个中形成电极图案。