[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种电容器，包括：

基板上的存储节点接触插塞；

上述存储节点接触插塞上的下部电极；

上述下部电极上的电介质层；

上述电介质层上的上部电极；

上述下部电极与上述电介质层之间的作为氧化抑制物质的第一界面层；以及

上述存储节点接触插塞与上述下部电极之间的第二界面层。

2.根据权利要求1所述的电容器，其中，

上述第一界面层和上述第二界面层含有第一物质，上述第一界面层包含第一物质的绝缘性物质，上述第二界面层包含上述第一物质的导电性物质。

3.根据权利要求1所述的电容器，其中，

上述第一界面层和上述第二界面层含有第一物质，上述第一界面层包含上述第一物质的氧化物，上述第二界面层包含上述第一物质的氮化物。

4.根据权利要求1所述的电容器，其中，

上述第一界面层和上述第二界面层含有从Zr、Hf、Nb、Mo、W或Ta中选择的至少一种的第一物质，上述第一界面层包含上述第一物质的氧化物，上述第二界面层包含上述第一物质的氮化物。

5.根据权利要求1所述的电容器，其中，

上述第一界面层和上述第二界面层含有从Zr、Hf、Nb、Mo、W或Ta中选择的至少一种的第一物质，上述第二界面层包含上述第一物质的氮化物，上述第一界面层包含从上述第一物质的氮化物被氧化而得的上述第一物质的氧化物。

6.根据权利要求1所述的电容器，其中，

上述第一界面层和上述电介质层含有相同种类的第一物质，上述第一界面层和上述电介质层包含上述第一物质的氧化物。

7.根据权利要求1所述的电容器，其中，

上述第一界面层包含第一物质的氧化物，上述电介质层包含第二物质的氧化物，上述第一物质与上述第二物质为互不相同的物质。

8.根据权利要求1所述的电容器，其中，

上述第一界面层包围上述下部电极的表面，上述第二界面层与上述下部电极的底面相接触。

9.根据权利要求1所述的电容器，其中，

上述下部电极呈圆筒形状或柱形状。

10.根据权利要求1所述的电容器，其中，

还包括用于支撑上述下部电极的外壁的支撑件，上述第一界面层的一部分位于上述下部电极与上述支撑件之间。

11.一种电容器制造方法，包括：

在形成有存储节点接触结构件的下部结构件上形成模具结构件的步骤；

对上述模具结构件进行蚀刻来形成使上述存储节点接触结构件露出的开口的步骤；

在形成有上述开口的模具结构件上形成氧化抑制物质的步骤；

在上述氧化抑制物质上形成位于上述开口内的下部电极的步骤；

选择性地去除上述氧化抑制物质而形成包围上述下部电极的初始界面层的步骤；

去除上述模具结构件而使上述初始界面层露出的步骤；

为了使形成于上述下部电极的侧壁的初始界面层转化为绝缘性界面层而在上述初始界面层上形成电介质层的步骤；以及

在上述电介质层上形成上部电极的步骤。

12.根据权利要求11所述的电容器制造方法，其中，

在上述初始界面层上形成电介质层的步骤包括使上述初始界面氧化的步骤，上述绝缘性界面层包含上述初始界面层的氧化物。

13.根据权利要求11所述的电容器制造方法，其中，

在上述初始界面层上形成电介质层的步骤包括使上述初始界面层残留在上述下部电极与上述存储节点接触结构件之间的步骤，上述残留的初始界面层具有导电性。