[发明专利]消除天线效应的方法

权利要求书

1.一种消除天线效应的方法，其特征在于，该消除天线效应的方法用于解决特定版图结构所引起的天线效应，所述特定版图结构由MOM电容和MOS管叠加而成，一个所述MOM电容与多个所述MOS管组成一个电容单元，所述MOM电容的正极与所述MOS管的栅极相连，并连接电源；所述MOM电容的负极与所述MOS管的源极以及漏极均相连，并与P型衬底相接触，所述消除天线效应的方法包括：

获取天线效应安全范围内的所述电容单元的个数临界值N；以及

将N个所述电容单元组成的阵列中的其中一个MOS管替换为反接的二极管，

其中，所述获取天线效应安全范围内的所述电容单元的个数临界值N包括：

测量所述MOS管的栅极面积S1以及与该栅极连接的所述MOM电容的正极的金属面积S2；

获取所述特定版图结构的工艺节点；

获取所述工艺节点下天线比例的安全值R；以及

计算所述工艺节点下天线效应安全范围内的MOM电容的个数临界值N，其中，N＝R×S1/S2。