[发明专利]具有共振电路的晶圆支撑座有效
申请号: | 201910671250.0 | 申请日: | 2019-07-24 |
公开(公告)号: | CN110416052B | 公开(公告)日: | 2022-06-17 |
发明(设计)人: | 荒见淳一;格雷格.苏王 | 申请(专利权)人: | 拓荆科技股份有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L21/683 |
代理公司: | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人: | 甄玉荃 |
地址: | 110179 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 共振 电路 支撑 | ||
1.一种晶圆支撑座,其特征在于,包含:
一盘体;
一第一电极及一第二电极,嵌入于该盘体,其中该第一电极位于该盘体的一内径范围,该第二电极位于相对于该盘体的内径范围的一外径范围;及
一第一共振电路及一第二共振电路,分别电性耦接至该第一电极及该第二电极,其中该第一共振电路配置成至少根据该第一电极的一讯号调整一第一阻抗,该第二共振电路配置成至少根据该第二电极的一讯号调整一第二阻抗;
一电源供应,电性耦接至该第一电极并配置成供应用于静电吸附的一讯号至该第一电极,使该盘体通过该第一电极提供静电吸附力;及
一射频阻挡电路,电性连接于该第一电极和该电源供应之间,并配置成抑制从该第一电极进入该电源供应的射频讯号,该射频阻挡电路包含一第一电感、一第二电感和一电容,其中该第一电感的一端电性耦接该第一电极,该第一电感的另一端电性连接该第二电感的一端,该第二电感的另一端电性连接该电源供应,该电容的一端电性连接于该第一电感和该第二电感之间,该电容的另一端接地。
2.如权利要求1所述的晶圆支撑座,其特征在于,其中该盘体具有一晶圆承载面,该第一电极与该晶圆承载面之间的一距离小于该第二电极与该晶圆承载面之间的一距离。
3.如权利要求1所述的晶圆支撑座,其特征在于,其中该盘体具有十个电极,包含该第一电极和该第二电极。
4.如权利要求1所述的晶圆支撑座,其特征在于,其中该第一共振电路包含一可变电容、一第一电感及一第二电感,其中该可变电容的一上游端电性耦接该第一电极,该可变电容的一下游端电性连接该第一电感的一上游端,该第二电感与串联的该可变电容和该第一电感并联。
5.如权利要求1所述的晶圆支撑座,其特征在于,其中该第二共振电路包含一可变电容、一第一电感及一第二电感,其中该可变电容的一上游端电性耦接该第二电极,该可变电容的一下游端电性连接该第一电感的一上游端,该第二电感与串联的该可变电容和该第一电感并联。
6.如权利要求4或5所述的晶圆支撑座,其特征在于,其中该可变电容配置成根据输入该第一电极或该第二电极的讯号调整,以改变该第一阻抗或该第二阻抗。
7.如权利要求1所述的晶圆支撑座,其特征在于,其中该第二电极为一环型电极,该第二电极的一内径大于晶圆的一外径。
8.一种半导体处理装置,用于半导体制造的射频处理,其特征在于,包含:
一腔体;
一喷淋组件,位于该腔体的一顶部且具有一电极;
一射频产生器及一匹配器,电性耦接至该喷淋组件;及如权利要求1所述的晶圆支撑座,位于该喷淋组件的下方。
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