[发明专利]具有共振电路的晶圆支撑座

说明书

本发明提供一种晶圆支撑座，包含：多个电极及多个共振电路电性耦接至各自的电极，每一共振电路配置成至少根据连接电极的一讯号调整一阻抗，藉此于一处理期间改变该电极对应的等离子体分布。

技术领域

本发明是关于制造半导体结构的晶圆支撑座，尤其是适用于等离子体处理的晶圆支撑座，其一般装配有射频电路的部分组件。

背景技术

等离子体处理被使用于如集成电路、光罩、等离子体显示及太阳能科技的制造。在集成电路的制造中，晶圆由等离子体腔体处理，例如蚀刻、化学气相沉积PECVD或物理气相沉积PEPVD。针对尺寸更微小的集成电路而言，处理参数的控制需要更精确，像是等离子体能量频谱、等离子体能量径向分布、等离子体密度及等离子体密度径向分布。尤其是等离子体密度，其决定了晶圆表面的沉积率和蚀刻率。而等离子体密度径向分布和等离子体能量径向分布更影响沉积和蚀刻的均匀性。已知的半导体处理装置提供有一上电极和一下电极，其可在两者之间产生等离子体。然而，已知的配置仍不容易达到这些精确的控制，甚至限制了等离子体调整的自由度。

因此，有必要发展一种半导体处理装置或者射频组件，可提供不同的射频控制策略，以满足工艺设计的自由度。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶圆支撑座，包含：一盘体；一第一电极及一第二电极，嵌入于该盘体，其中该第一电极位于该盘体的一内径范围，该第二电极位于相对于该盘体的内径范围的一外径范围；及一第一共振电路及一第二共振电路，分别电性耦接至该第一电极及该第二电极，其中该第一共振电路配置成至少根据该第一电极的一讯号调整一第一阻抗，该第二共振电路配置成至少根据该第二电极的一讯号调整一第二阻抗。

在一具体实施例中，该盘体具有一晶圆承载面，该第一电极与该晶圆承载面之间的一距离小于该第二电极与该晶圆承载面之间的一距离。

在一具体实施例中，该盘体具有十个电极，包含该第一电极和该第二电极。

在一具体实施例中，晶圆支撑座更包含一电源供应，电性耦接至该第一电极并配置成供应用于静电吸附的一讯号至该第一电极。

在一具体实施例中，晶圆支撑座，更包含一射频阻挡电路，电性连接于该第一电极和该电源供应之间，并配置成抑制与该第一电极有关的射频讯号传递至该电源供应。

在一具体实施例中，该第一共振电路包含一可变电容、一第一电感及一第二电感，其中该可变电容的一上游端电性耦接该第一电极，该可变电容的一下游端电性连接该第一电感的一上游端，该第二电感与串联的该可变电容和该第一电感并联。

在一具体实施例中，该第二共振电路包含一可变电容、一第一电感及一第二电感，其中该可变电容的一上游端电性耦接该第一电极，该可变电容的一下游端电性连接该第一电感的一上游端，该第二电感与串联的该可变电容和该第一电感并联。

在一具体实施例中，该可变电容配置成根据输入该第一电极或该第二电极的讯号调整，以改变该第一阻抗或该第二阻抗。

在一具体实施例中，该射频阻挡电路包含一第一电容、一第二电容和一电感，该第一电容的一上游端电性耦接该第一电极，该第一电容的一下游端电性连接该第二电容的一上游端，该第一电容的一下游端电性连接该电感的一上游端。

本发明的另一目的在于提供一种半导体处理装置，用于半导体制造的射频处理，装置包含：一腔体；一喷淋组件，位于该腔体的一顶部且具有一电极；一射频产生器及一匹配器，电性耦接至该喷淋组件；及所述之晶圆支撑座，位于该喷淋组件的下方。

在以下本发明的说明书以及藉由本发明原理所例示的图式当中，将更详细呈现本发明的这些与其他特色和优点。

附图说明

参照下列图式与说明，可更进一步理解本发明。非限制性与非穷举性实例系参照下列图式而描述。在图式中的构件并非必须为实际尺寸；重点在于说明结构及原理。