[发明专利]产生命令脉冲的方法和被配置为执行该方法的半导体器件

说明书

本发明提供一种产生命令脉冲的方法和被配置为执行该方法的半导体器件。一种半导体器件包括：第一命令脉冲发生电路，其被配置为基于第一阻止信号来从内部命令地址产生第一命令脉冲；以及第二命令脉冲发生电路，其被配置为基于第二阻止信号来从所述内部命令地址产生第二命令脉冲。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年11月19日在韩国知识产权局提交的申请号为10-2018-0142645的韩国专利申请的优先权，其通过引用整体合并于此。

技术领域

本公开的实施例总体而言涉及一种配置为产生命令脉冲的半导体器件。

背景技术

半导体器件执行各种内部操作。所述各种内部操作包括用于将数据储存在存储单元中的写入操作和用于输出已经被储存在存储单元中的数据的读取操作。为了执行所述各种内部操作，半导体器件可以通过对从外部输入的命令进行解码来产生命令脉冲。

发明内容

在一个实施例中，一种半导体器件可以包括：第一命令脉冲发生电路，其被配置为基于第一阻止信号来从内部命令地址产生第一命令脉冲；以及第二命令脉冲发生电路，其被配置为基于第二阻止信号来从内部命令地址产生第二命令脉冲。当从在时钟的至少N个周期的时段期间输入的命令来产生第一命令脉冲和第二命令脉冲时，第一阻止信号或第二阻止信号被激活。N可以是整数。

在一个实施例中，一种半导体器件可以包括：第一阻止信号发生电路，其被配置为基于第一锁存命令地址和第一阻止信号来产生第二阻止信号；以及第一命令脉冲发生电路，其被配置为基于第一阻止信号来从内部命令地址产生第一命令脉冲。当从在时钟的至少N个周期的时段期间输入的命令来产生第一命令脉冲时，第二阻止信号被激活。N可以被设置为等于或大于2的自然数。

在一个实施例中，一种用于产生命令脉冲的方法可以包括：当从在时钟的至少N个周期的时段期间输入的命令来产生第一命令脉冲时，产生被激活的第二阻止信号；以及基于第二阻止信号，阻止产生第二命令脉冲的操作。N可以被设置为等于或大于2的自然数。

在一个实施例中，一种半导体器件可以包括：第一命令脉冲发生电路，其被配置为基于第一阻止信号，同步于第一内部时钟从内部命令地址产生第一命令脉冲；以及第二命令脉冲发生电路，其被配置为基于第二阻止信号，同步于第二内部时钟从内部命令地址产生第二命令脉冲。当从在时钟的至少N个周期的时段期间输入的命令来产生第一命令脉冲和第二命令脉冲时，第一阻止信号可以被激活，且第二阻止信号可以被去激活。N可以是整数。

附图说明

图1是示出根据一个实施例的半导体器件的配置的示例的表示的框图。

图2是示出图1所示的半导体器件中包括的第一命令脉冲发生电路的示例的表示的示图。

图3是示出图1所示的半导体器件中包括的第一阻止信号发生电路的示例的表示的示图。

图4是示出图1所示的半导体器件中包括的第二命令脉冲发生电路的示例的表示的示图。

图5是示出图1所示的半导体器件中包括的第二阻止信号发生电路的示例的表示的示图。

图6至图10是有助于说明图1所示的半导体器件的操作的示图的示例的表示。

图11是示出应用图1所示的半导体器件的电子系统的配置的示例的表示的示图。

具体实施方式

在下文中，下面将参考附图通过实施例的各种示例来描述用于产生命令脉冲的方法和用于执行该方法的半导体器件。

各种实施例可以针对一种能够产生命令脉冲的半导体器件。

根据各种实施例，通过在基于时钟的至少两个周期的时段期间输入的命令来产生命令脉冲的过程中阻止非预期命令脉冲的产生，能够稳定地产生用于内部操作的命令脉冲。