[发明专利]一种阵列基板及OLED显示面板有效
申请号: | 201910673178.5 | 申请日: | 2019-07-24 |
公开(公告)号: | CN110379823B | 公开(公告)日: | 2021-01-01 |
发明(设计)人: | 丁玎;方亮 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 oled 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板在弯折区包括:
柔性衬底;
水氧保护层,形成于所述柔性衬底上;
信号线层,形成于所述水氧保护层上,图案化形成信号传输线;
平坦化层,形成于所述信号线层及所述水氧保护层上;
所述阵列基板在显示区包括:在所述柔性衬底上依次层叠设置的阻隔层、缓冲层、有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极层、第二栅极绝缘层、第二栅极层、第一层间绝缘层、第二层间绝缘层、源漏极层,其中所述第二层间绝缘层包括第三凹槽。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述弯折区包括第二弯折区以及第一弯折区;
在显示区内,所述阵列基板包括,形成于所述柔性衬底上的阻隔层;
所述阻隔层延伸至所述第一弯折区的部分,形成所述水氧保护层。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,在第一弯折区内,所述水氧保护层的膜层厚度,小于所述阻隔层的膜层厚度。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,在图案化所述信号线层且未形成所述信号传输线的对应区域内,所述水氧保护层形成有多个第一凹槽,所述平坦化层填充所述第一凹槽。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,部分或全部所述第一凹槽,贯穿所述阻隔层。
6.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,在所述显示区内,所述阵列基板还包括,形成于所述阻隔层上的缓冲层;
所述阻隔层以及所述缓冲层延伸至所述第二弯折区内,形成所述水氧保护层。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,在所述第二弯折区内,所述水氧保护层的膜层厚度,等于所述阻隔层与所述缓冲层的膜层厚度之和。
8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,在图案化所述信号线层且未形成所述信号传输线的对应区域内,所述水氧保护层形成有第二凹槽,所述平坦化层填充所述第二凹槽。
9.根据权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述第二凹槽的深度,小于所述缓冲层的膜层厚度。
10.一种OLED显示面板,其特征在于,包括:
如权利要求1至9任一项所述的阵列基板;
形成于所述阵列基板上的发光功能层;
以及形成于所述发光功能层上的封装层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的