[发明专利]一种阵列基板及OLED显示面板有效
申请号: | 201910673178.5 | 申请日: | 2019-07-24 |
公开(公告)号: | CN110379823B | 公开(公告)日: | 2021-01-01 |
发明(设计)人: | 丁玎;方亮 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 oled 显示 面板 | ||
本发明提供一种阵列基板及OLED显示面板,其阵列基板在弯折区包括层叠设置的柔性衬底、水氧保护层、信号线层和平坦化层,信号线层图案化形成的信号传输线,形成于水氧保护层上;弯折区还包括第二弯折区以及第一弯折区,水氧保护层在第一弯折区形成有第一凹槽,在第二弯折区形成有第二凹槽,平坦化层填充第一凹槽和第二凹槽;本发明通过把弯折区信号线层制作于水氧保护层上,并用平坦化层填充,缓解了水氧经有机光阻渗入信号线层,影响信号线电性能的问题。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及OLED显示面板。
背景技术
现有显示装置为了提高显示区的屏占比,通常会在显示区外形成一个弯折区,在模组制程阶段将其弯折至面板背面。为了提高耐弯折性,通常会将弯折区无机层全部去除形成开孔,并用有机光阻进行填充,之后将信号线沉积在有机光阻上方并进行图案化,随后在信号线上方沉积平坦化层。如图1所示,这种设计弯折区BA信号线层30直接与有机光阻层20接触,而有机光阻层20直接与柔性衬底10接触,导致柔性衬底10中的水氧会通过有机光阻层20渗入信号线层30,从而影响信号线的电性能。
因此,现有显示装置存在的问题需要改进。
发明内容
本发明提供一种阵列基板及OLED显示面板,以缓解现有显示装置中水氧经有机光阻渗入信号线层,影响信号线电性能的技术问题。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
本发明实施例提供一种阵列基板,其在弯折区包括:
柔性衬底;
水氧保护层,形成与所述柔性衬底上;
信号线层,形成于所述水氧保护层上,图案化形成信号传输线;
平坦化层,形成于所述信号线层以及所述水氧保护层上。
在本发明实施例提供的阵列基板中,所述弯折区包括第二弯折区以及第一弯折区;
在显示区内,所述阵列基板包括形成于所述柔性衬底上的阻隔层;
所述阻隔层延伸至所述第一弯折区的部分,形成所述水氧保护层。
在本发明实施例提供的阵列基板中,在第一弯折区内,所述水氧保护层的膜层厚度,小于所述阻隔层的膜层厚度。
在本发明实施例提供的阵列基板中,在图案化所述信号线层且未形成所述信号传输线的对应区域内,所述水氧保护层形成有多个第一凹槽,所述平坦化层填充所述第一凹槽。
在本发明实施例提供的阵列基板中,部分或全部所述第一凹槽,贯穿所述阻隔层。
在本发明实施例提供的阵列基板中,在所述显示区内,所述阵列基板还包括,形成于所述阻隔层上的缓冲层;
所述阻隔层以及所述缓冲层,延伸至所述第二弯折区的部分,形成所述水氧保护层。
在本发明实施例提供的阵列基板中,在所述第二弯折区内,所述水氧保护层的膜层厚度,等于所述阻隔层与所述缓冲层的膜层厚度之和。
在本发明实施例提供的阵列基板中,在图案化所述信号线层且未形成所述信号传输线的对应区域内,所述水氧保护层形成有第二凹槽,所述平坦化层填充所述第二凹槽。
在本发明实施例提供的阵列基板中,所述第二凹槽的深度,小于所述缓冲层的膜层厚度。
本发明实施例还提供一种OLED显示面板,其包括:
本发明实施例提供的阵列基板;
形成于所述阵列基板上的发光功能层;
以及形成于所述发光功能层上的封装层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的