[发明专利]一种迟滞电压比较器

权利要求书

1.一种迟滞电压比较器，其特征在于，包括：可调基准电压产生模块、偏置电流产生模块、比较器模块；

所述可调基准电压产生模块产生第一电流，所述第一电流流入可调基准电压产生模块的第三电阻的一端，第三电阻的另一端连接电源端，所述第三电阻的一端形成电压点；

所述偏置电流产生模块包括漏极电压钳位电路、MOS管M20、MOS管M19、第一电流镜、第二电流镜，所述漏极电压钳位电路包括运算放大器A1、第一电阻、第二电阻、MOS管M15、MOS管M16、MOS管M17、MOS管M18，所述MOS管M20、MOS管M19的漏极电流和第一电流相等，所述第二电阻的一端连接电源端，所述第二电阻的另一端分别连接MOS管M20的漏极和MOS管M18的栅极，MOS管M18的源极和漏极分别连接电源端和MOS管M17的源极，所述MOS管M17的漏极连接第一电流镜的一个漏极，所述运算放大器A1的输出端连接MOS管M17、MOS管M15的栅极，所述运算放大器A1的输入端连接可调基准电压产生模块形成的电压点和MOS管M17的源极，所述第一电阻的一端连接电源端，所述第一电阻的另一端分别连接MOS管M19的漏极和MOS管M16的栅极，MOS管M16的源极和漏极分别连接电源端和MOS管M15的源极，所述MOS管M15的漏极分别连接第一电流镜的另一个漏极和第二电流镜的一个漏极，所述第一电流镜、第二电流镜的源极与MOS管M19、MOS管M20的源极连接，所述第二电流镜的另一个漏极的电流为产生的偏置电流；

所述比较器模块包括晶体管对管，所述MOS管对管的栅极分别连接输入电压端和基准电压端，在MOS管对管处通过一个开关管设置一个MOS管M3来产生迟滞电压，所述偏置电流通过第三电流镜产生镜像电流输入给MOS管M3的源极。

2.如权利要求1所述的迟滞电压比较器，其特征在于，所述第二电流镜的镜像比例可调。

3.如权利要求2所述的迟滞电压比较器，其特征在于，所述比较器模块包括MOS管M6和MOS管M5和MOS管M2和MOS管M1组成的对管、带有开关管M4的MOS管M3、MOS管M9和MOS管M10组成的第三电流镜、MOS管M7、MOS管M8，所述偏置电流连接MOS管M10的漏极，MOS管M10的源极连接电源端，所述MOS管M9和MOS管M10的栅极连接，所述MOS管M9的源极连接电源端，所述MOS管M9的漏极连接MOS管M3、MOS管M2、MOS管M1的源极，所述MOS管M2、MOS管M1的栅极分别连接在输入电压端和基准电压端，所述MOS管M2和MOS管M1的漏极分别连接MOS管M6和MOS管M5的漏极，所述MOS管M6和MOS管M5的源极连接MOS管M19、MOS管M20的源极，所述MOS管M6和MOS管M5的栅极连接，所述MOS管M5的栅极和漏极短接，所述MOS管M3的栅极连接输入电压端，所述MOS管M3的漏极连接开关管M4的源极，所述开关管M4的漏极连接MOS管M5的栅极，所述开关管M4的栅极连接到输出电压端，所述MOS管M6的漏极连接MOS管M7的栅极，所述MOS管M8的源极和栅极分别连接电源端和偏置电流，所述MOS管M7的源极连接MOS管M19、MOS管M20的源极，所述MOS管M7、MOS管M8的漏极连接输出电压端。

4.如权利要求3所述的迟滞电压比较器，其特征在于，所述第三电流镜中MOS管M9和MOS管M10的长宽比可调。

5.如权利要求4所述的迟滞电压比较器，其特征在于，第一电流镜镜像比例系数为1:1；所述第二电流镜的镜像比例系数为1：k，k是为第二电流镜的镜像设置的比例系数；第三电流镜的镜像比例系数为1:2。

6.如权利要求1所述的迟滞电压比较器，其特征在于，所述第一电阻和第二电阻的阻值可调。

7.如权利要求3所述的迟滞电压比较器，其特征在于，MOS管对管采用PMOS输入对管。

8.如权利要求3所述的迟滞电压比较器，其特征在于，MOS管对管采用对偶的NMOS输入对管。

9.如权利要求3所述的迟滞电压比较器，其特征在于，所述可调基准电压产生模块包括：运算放大器A0、MOS管M21、MOS管M22、MOS管M23、MOS管M24、MOS管M25、第三电阻、第四电阻，所述运算放大器A0输入端连接基准电压的分压和MOS管M25的源极，所述运算放大器A0输出端连接MOS管M25的栅极，所述MOS管M25的源极和漏极分别连接第四电阻的一端和MOS管M24的漏极，所述MOS管M24的源极连接电源端，所述MOS管M24的栅极和漏极短接，所述MOS管M24、MOS管M23的栅极连接，MOS管M23的源极和漏极分别连接电源端和MOS管M22的漏极，所述MOS管M22、MOS管M21的栅极连接，所述MOS管M22的栅极和漏极短接，所述MOS管M22的栅极连接MOS管M19、MOS管M20的栅极，所述MOS管M22、MOS管M21的源极连接第四电阻的另一端，所述MOS管M21的漏极电流为第一电流，并连接第三电阻后再连接电源端。