[发明专利]一种迟滞电压比较器

说明书

本发明涉及比较器技术领域，公开了一种迟滞电压比较器。包括：可调基准电压产生模块、偏置电流产生模块、比较器模块；在比较器模块中通过开关管在输入电压的对管处加入一个MOS管来产生迟滞电压，且开关管的电荷注入不会影响电压基准，再通过偏置电流产生模块产生一个特定温度系数以及工艺参数的电流作为比较器的尾电流，用该尾电流从而消除加入MOS管产生迟滞电压带来的温度系数与工艺参数。而且可以将该电流通过不同系数的电流镜镜像出来给N个该类比较器模块作为尾电流，同时改变不同比较器输入MOS管的宽长比即可实现任意不同精确迟滞电压的比较器，因此只需要N个基准比较电压，匹配比较简单，在系统需要多个该类比较器时，电路实现比较简单。

技术领域

本发明涉及比较器技术领域，特别是一种迟滞电压比较器。

背景技术

在模拟集成电路芯片内部会大量使用迟滞比较器，在应用中往往要求精确的迟滞电压，不随工艺的工艺角以及温度的变化而变化，例如power good信号的产生比较器，传统的精确迟滞电压比较器会采用带隙基准的两个分压的压差作为迟滞电压，但当芯片中需要用到很多个不同迟滞电压的精确迟滞电压比较器，以及当迟滞电压较小时，在带隙基准准确分压会变得非常困难，而且在比较器的基准电压切换时开关带来的电荷注入会影响其他基准电压的准确性。例如，在一个芯片需要运用N个精确迟滞电压比较器时，传统精确迟滞电压比较器需要2N个基准电压来实现，由于不同精确迟滞电压比较器的迟滞电压需求不同，基准电压的分压比例往往差别非常大，为了实现基准电压的准确性，需要保证每个分压电阻的匹配，这将消耗大量的面积，且精度会比较差，而且在每个基准电压支路上都会加入开关管来控制迟滞，开关管在开关时带来的电荷注入将相互影响基准电压的准确性。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：针对上述存在的问题，提供了一种迟滞电压比较器。

本发明采用的技术方案如下：一种迟滞电压比较器，包括：可调基准电压产生模块、偏置电流产生模块、比较器模块；

所述可调基准电压产生模块产生第一电流，所述第一电流流入可调基准电压产生模块的第三电阻的一端，第三电阻的另一端连接电源端，所述第三电阻的一端形成电压点；

所述偏置电流产生模块包括漏极电压钳位电路、MOS管M20、MOS管M19、第一电流镜、第二电流镜，所述漏极电压钳位电路包括运算放大器A1、第一电阻、第二电阻、MOS管M15、MOS管M16、MOS管M17、MOS管M18，所述MOS管M20、MOS管M19的漏极电流和第一电流相等，所述第二电阻的一端连接电源端，所述第二电阻的另一端分别连接MOS管M20的漏极和MOS管M18的栅极，MOS管M18的源极和漏极分别连接电源端和MOS管M17的源极，所述MOS管M17的漏极连接第一电流镜的一个漏极，所述运算放大器A1的输出端连接MOS管M17、MOS管M15的栅极，所述运算放大器A1的输入端连接可调基准电压产生模块形成的电压点和MOS管M17的源极，所述第一电阻的一端连接电源端，所述第一电阻的另一端分别连接MOS管M19的漏极和MOS管M16的栅极，MOS管M16的源极和漏极分别连接电源端和MOS管M15的源极，所述MOS管M15的漏极分别连接第一电流镜的另一个漏极和第二电流镜的一个漏极，所述第一电流镜、第二电流镜的源极与MOS管M19、MOS管M20的源极连接，所述第二电流镜的另一个漏极的电流为产生的偏置电流；

所述比较器模块包括晶体管对管，所述MOS管对管的栅极分别连接输入电压端和基准电压端，在MOS管对管处通过一个开关管设置一个MOS管M3来产生迟滞电压，所述偏置电流通过第三电流镜产生镜像电流输入给MOS管M3的源极。

进一步的，所述第二电流镜的镜像比例可调。