[发明专利]对准方法在审
申请号: | 201910674897.9 | 申请日: | 2019-07-25 |
公开(公告)号: | CN110783245A | 公开(公告)日: | 2020-02-11 |
发明(设计)人: | 宫田谕 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/304;G06K9/00;G06K9/32 |
代理公司: | 11127 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 于靖帅;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 对准标记 拍摄图像 存储工序 方向距离 映射图 存储 亮度分布区域 图像 拍摄 分割预定线 工作台移动 拍摄单元 拍摄区域 工作台 晶片 像素 匹配 对准 | ||
1.一种对准方法,使卡盘工作台对由设定于正面的第1分割预定线和与该第1分割预定线交叉的第2分割预定线划分的各区域内形成有器件的晶片进行保持,利用拍摄单元对该卡盘工作台所保持的晶片进行拍摄,检测配置于该各区域的对准标记,从而确定该第1分割预定线和该第2分割预定线,其中,
该对准方法具有如下的工序:
登记工序,该拍摄单元的拍摄区域比该各区域小,利用比该拍摄区域小的区域来登记该对准标记;
映射图形成工序,使该拍摄单元所拍摄到的多个图像进行结合,形成面积为由第1中心线、第2中心线、第3中心线和第4中心线这四条中心线围绕而成的面积以上的、包含有该对准标记的结合图像,从而形成存储了从该结合图像的各像素起存在该对准标记的方向和距离的映射图,其中,该第1中心线穿过该第1分割预定线的宽度的中心,该第2中心线穿过相邻的该第1分割预定线的宽度的中心,该第3中心线穿过该第2分割预定线的宽度的中心,该第4中心线穿过相邻的该第2分割预定线的宽度的中心;
第1存储工序,存储新拍摄图像,该新拍摄图像是利用该拍摄单元对新保持于该卡盘工作台的晶片进行拍摄而得到的;
第2存储工序,使该新拍摄图像与该映射图进行图案匹配,在该映射图中寻找与该新拍摄图像相同的亮度分布的区域,对该相同的亮度分布的区域与该对准标记之间的距离以及从该相同的亮度分布的区域起存在该对准标记的方向进行存储;
确认工序,当根据在该第2存储工序中存储的该距离和该方向使该卡盘工作台进行了移动之后,确认在利用该拍摄单元对晶片进行拍摄而得到的图像中是否拍摄到该对准标记,
如果在该确认工序中拍摄到该对准标记,则根据该对准标记来确定该第1分割预定线和该第2分割预定线。
2.根据权利要求1所述的对准方法,其中,
该对准方法具有如下的返工工序:如果在所述确认工序中未拍摄到所述对准标记,则对与在上一次的所述第1存储工序中拍摄的晶片的位置不同的位置进行拍摄,重新执行该第1存储工序之后的所述各工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造