[发明专利]电容单元及其制造方法有效
申请号: | 201910675399.6 | 申请日: | 2019-07-25 |
公开(公告)号: | CN111146002B | 公开(公告)日: | 2021-12-14 |
发明(设计)人: | 林维昱;郑世豪 | 申请(专利权)人: | 力晶积成电子制造股份有限公司 |
主分类号: | H01G4/228 | 分类号: | H01G4/228;H01G4/30 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电容 单元 及其 制造 方法 | ||
1.一种电容单元的制造方法,包括:
提供基板;
形成隔离层于该基板上;
形成第一电容堆叠结构与第二电容堆叠结构于该隔离层上;
形成电极接点于该第一电容堆叠结构和该第二电容堆叠结构上,其中该电极接点被暴露,以使该电极接点、该第一、第二电容堆叠结构跟该隔离层与该基板结合构成电容集成结构,其中,该隔离层使该基板与该第一、第二电容堆叠结构电性隔离;以及
裁切该电容集成结构以形成独立的第一电容单元与第二电容单元,其中,该第一电容单元包含:两个该电极接点、该第一电容堆叠结构、该隔离层与该基板的一部分,该第二电容单元包含:另外两个该电极接点、该第二电容堆叠结构、该隔离层与该基板的另一部分,
其中,形成该第一电容堆叠结构与该第二电容堆叠结构还包括以下步骤:
形成第一导电层于该隔离层上;
光刻蚀刻该第一导电层,以外露该隔离层的第一部分;
形成邻接该第一导电层的两侧侧壁的二间隙壁;
形成电容介电层以覆盖于该第一导电层与部分该隔离层的第一部分上,且该电容介电层包括直接形成于该隔离层的第一部分上方的第三部分,该电容介电层与该第一导电层的侧壁之间通过该二间隙壁隔开;
形成第二导电层于部分该电容介电层上,并外露位于该第一导电层上方的该电容介电层的第四部分;
形成层间介电层,以覆盖于该第二导电层、与该电容介电层的第四部分上;
蚀刻该层间介电层,以形成多个第一导孔与多个第二导孔,其中,各该第一导孔通过该电容介电层的第四部分,以外露位于该第四部分下方的该第一导电层,各该第二导孔开设于该电容介电层的第三部分的上方,以外露位于该第三部分上方的该第二导电层;
分别填充金属材料于该多个第一导孔与该多个第二导孔中,以形成多个第一金属导柱与多个第二金属导柱;
形成焊垫金属层以分别覆盖于该层间介电层、该第一金属导柱、与该第二金属导柱上;以及
蚀刻该焊垫金属层,以于该多个第一金属导柱的上方形成第一焊垫,且于该多个第二金属导柱的上方形成第二焊垫,其中,该第一焊垫通过该第一金属导柱与该第一导电层电连接而构成第一电极;该第二焊垫通过该第二金属导柱与该第二导电层电连接而构成第二电极。
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