[发明专利]电容单元及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201910675399.6 申请日: 2019-07-25
公开(公告)号: CN111146002B 公开(公告)日: 2021-12-14
发明(设计)人: 林维昱;郑世豪 申请(专利权)人: 力晶积成电子制造股份有限公司
主分类号: H01G4/228 分类号: H01G4/228;H01G4/30
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 电容 单元 及其 制造 方法
【说明书】:

发明公开一种电容单元及其制造方法,主要包括基板、形成于该基板上的隔离层、与位于该隔离层上的多个电容堆叠结构,以构成包含有多个电容单元的电容集成结构,如此可通过裁切以大量形成可作为电容的电容单元,由此以简化电容的制造流程并降低制造成本。

技术领域

本发明涉及一种电容单元的制造方法及其结构,特别是涉及通过裁切以大量形成可作为电容的电容单元的一种电容单元的制造方法及其结构。

背景技术

现有电容(例如MLCC)的完整制造流程包括诸多工艺步骤,例如,调浆、瓷膜成型、印刷、堆叠、均压、切割、去胶、烧结、倒角、沾银、烧附、电镀、测试、包装等步骤,此产品制造程序虽然复杂却十分成熟,相关产业链的供应商或者是产量,长期呈现一种足量供给的稳定状态。直至近期随着科技进步,物联网、5G通讯、区块链、人工智能、电动车各种新领域的应用被开发,以及各类型电子产品的功能日益提升,采用元件的种类与数量愈加庞大;主动元件使用数量的扩增与精密度的提高,使得搭配的被动元件数量也随之倍数成长,积层陶瓷电容(MLCC)则为其中之最。因此,市场逐渐开始呈现供不应求的状况,而近期被动元件供应商的增产计划并无法完全满足市场需求,缺货的情况将会影响整体产业的发展。另一方面,如何在有限的空间之内将所有元件布局陈列是一大课题,为因应高密度的元件布局陈列,朝缩小元件面积甚至体积为势在必行,传统的电容制造工艺,无论是在面积的微缩或者产品的精密度都已经面临挑战。

有鉴于此,本发明使用一种有别于传统积层陶瓷电容(MLCC)的材料、构造与制造流程,为市场供给提供另一项选择。本发明也可降低面积微缩的困难度进而提高产品精密度,另一方面则可避免传统积层陶瓷电容(MLCC)制造流程中高温锻烧的程序,进而达到节能减碳并降低其制造成本即为本申请待解决的技术课题。

发明内容

鉴于上述现有技术的缺点,本发明提供一种电容单元及其制造方法,除了提供市场额外的产能而同时解决微缩的困难度,并且简化电容的制造流程与降低制造成本。

为达到上述目的及其他相关的目的,本发明提供一种电容单元的制造方法,包括:提供一基板;形成一隔离层于该基板上;形成一第一电容堆叠结构与一第二电容堆叠结构于该隔离层上;形成电极接点于该第一电容堆叠结构和该第二电容堆叠结构上,其中该电极接点被暴露,以使该电极接点、该第一、第二电容堆叠结构跟该隔离层与该基板结合构成一电容集成结构,其中,该隔离层使该基板与该第一、第二电容堆叠结构电性隔离;以及裁切该电容集成结构以形成独立的一第一电容单元与第二电容单元,其中,该第一电容单元包含:两个该电极接点、该第一电容堆叠结构、该隔离层与该基板的一部分,该第二电容单元包含:另外两个该电极接点、该第二电容堆叠结构、该隔离层与该基板的另一部分。

较佳的,在上述制造方法中,形成该第一电容堆叠结构与该第二电容堆叠结构还包括以下步骤:

形成一第一导电层于该隔离层上;形成一电容介电层于该第一导电层上;形成一第二导电层于该电容介电层上;依次光刻蚀刻该第二导电层与该电容介电层及其下方的该第一导电层,以外露该电容介电层的一第一部分以及该隔离层的一第一部分;形成一层间介电层以覆盖于该第二导电层上、该电容介电层的第一部分上、与该隔离层的第一部分上;光刻蚀刻该层间介电层,以形成多个第一导孔与多个第二导孔,其中,各该第一导孔穿过该电容介电层的第一部分以外露位于该电容介电层的第一部分下方的该第一导电层,各该第二导孔外露该第二导电层;分别填充一金属材料于该多个第一导孔与该多个第二导孔中,以形成多个第一金属导柱与多个第二金属导柱;形成一第一焊垫于该多个第一金属导柱的上方,且形成一第二焊垫于该多个第二金属导柱的上方,其中,该第一焊垫通过该第一金属导柱与该第一导电层电连接而构成一第一电极;该第二焊垫通过该第二金属导柱与该第二导电层电连接而构成一第二电极。

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