[发明专利]一种三维存储器与形成三维存储器的方法

权利要求书

1.一种形成三维存储器的方法，包括：

提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底、位于所述衬底上的堆叠层以及穿过所述堆叠层的沟道结构；

形成垂直穿过所述堆叠层而到达所述衬底的栅线隙、覆盖所述栅线隙的粘连层，所述栅线隙包括多个通过介质层隔开的栅线槽；

在所述栅线槽中形成隔离所述栅线隙与所述沟道结构的阻挡层，所述阻挡层覆盖部分所述栅线槽；

去除暴露出来的粘连层和至少部分被所述粘连层覆盖的介质层，从而形成高速通道区；

形成填充所述高速通道区的字线高速通道和电性连接各字线高速通道的通道连接结构。

2.如权利要求1所述的形成三维存储器的方法，其特征在于，填充所述高速通道区的所述字线高速通道的第一端具有第一高度，在与所述第一端相对的第二端具有第二高度，所述第一高度小于所述第二高度，其中所述第一端相对于所述第二端靠近所述沟道结构。

3.如权利要求2所述的形成三维存储器的方法，其特征在于，填充所述高速通道区的所述字线高速通道的高度沿所述第一端向所述第二端连续增加。

4.如权利要求2或3所述的形成三维存储器的方法，其特征在于，相邻所述字线高速通道相接触。

5.如权利要求1所述的形成三维存储器的方法，其特征在于，所述字线高速通道占所述栅线槽深度的1/2-2/3。

6.如权利要求5所述的形成三维存储器的方法，其特征在于，所述字线高速通道占所述栅线槽深度的1/2。

7.如权利要求1所述的形成三维存储器的方法，其特征在于，还包括：在所述衬底中形成接触区，所述字线高速通道与所述接触区电性连接。

8.一种三维存储器，包括：

衬底、位于所述衬底上的堆叠层以及穿过所述堆叠层的沟道结构；

垂直穿过所述堆叠层而到达所述衬底的栅线隙，所述栅线隙包括多个通过介质层隔开的栅线槽；

位于所述栅线槽中的阻挡层和字线高速通道，所述阻挡层将所述字线高速通道与所述沟道结构隔开；其中，所述阻挡层位于所述栅线槽中靠近所述沟道结构的一端，并且所述阻挡层在平行于所述衬底的方向上的长度小于所述栅线槽的深度；所述阻挡层与靠近所述沟道结构的部分所述介质层之间还包括粘连层，所述字线高速通道与所述介质层接触，所述介质层包括位于所述阻挡层下方的第一部分和位于所述字线高速通道下方的第二部分，所述第一部分的厚度大于第二部分的厚度；

通道连接结构，电性连接各所述字线高速通道。

9.如权利要求8所述的三维存储器，其特征在于，所述字线高速通道的第一端具有第一高度，在与所述第一端相对的第二端具有第二高度，所述第一高度小于所述第二高度，其中所述第一端相对于所述第二端靠近所述沟道结构。

10.如权利要求9所述的三维存储器，其特征在于，所述字线高速通道的高度沿所述第一端向所述第二端连续增加。

11.如权利要求8或9所述的三维存储器，其特征在于，相邻所述字线高速通道相接触。

12.如权利要求8所述的三维存储器，其特征在于，所述字线高速通道占所述栅线槽深度的1/2-2/3。

13.如权利要求12所述的三维存储器，其特征在于，所述字线高速通道占所述栅线槽深度的1/2。

14.如权利要求8所述的三维存储器，其特征在于，还包括位于所述衬底中的接触区，所述字线高速通道与所述接触区电性连接。