[发明专利]一种基于倒装结构的白光Micro LED结构

权利要求书

1.一种基于倒装结构的白光Micro LED结构，其特征在于，包括电路基板和Micro LED芯片，所述Micro LED芯片等间距交错分布在所述电路基板上，所述Micro LED芯片通过P电极和N电极与电路基板的正负极相连接，所述P电极通过P型GaN与N型GaN连接，在所述P型GaN与N型GaN之间的界面处形成量子阱，并在所述Micro LED芯片内灌入量子点材料，在各个所述Micro LED芯片之间的间隔处填充黑胶。

2.根据权利要求1所述的一种基于倒装结构的白光Micro LED结构，其特征在于，在所述N型GaN上方设置覆盖Micro LED芯片的透明保护层。

3.根据权利要求1所述的一种基于倒装结构的白光Micro LED结构，其特征在于，在所述N电极的两侧均形成有通孔。

4.根据权利要求1所述的一种基于倒装结构的白光Micro LED结构，其特征在于，所述量子点材料包括红色量子点材料、绿色量子点材料和蓝色量子点材料。

5.根据权利要求1所述的一种基于倒装结构的白光Micro LED结构，其特征在于，所述Micro LED芯片为形成于N型GaN上方的外延结构时，白光Micro LED结构的实现方法包括：

蚀刻所述P型GaN，一部分蚀刻穿透所述量子阱，另一部分不做蚀刻处理；

在未完全蚀刻的P型GaN下部加上P电极；

在由于完全蚀刻露出的N型GaN下部加上N电极；

在N型GaN上方均匀加上挡墙；

蚀刻挡墙，使挡墙处形成一个个独立的Micro LED芯片，将量子点材料灌入Micro LED芯片内；

去除挡墙；

在各个挡墙形成Micro LED芯片的间隔处填充黑胶；

在所述量子点的上方增设覆盖住所述量子点和黑胶的透明保护层；

对整个白光Micro LED外延结构作密封处理。

6.根据权利要求1所述的一种基于倒装结构的白光Micro LED结构，其特征在于，所述Micro LED芯片为形成于N型GaN嵌入上表面内部的蚀刻结构时，白光Micro LED结构的实现方法包括：

蚀刻所述P型GaN，一部分蚀刻穿透量子阱，另一部分不做蚀刻处理；

在未完全蚀刻的P型GaN下部加上P电极；

在由于完全蚀刻露出的N型GaN下部加上N电极；

将所述N型GaN加厚处理，然后将N型GaN刻蚀，等间距均匀分离出若干独立的Micro LED芯片；

在相邻Micro LED芯片之间的间隔处填充黑胶；

在N型GaN上分离出的每个Micro LED芯片刻蚀出凹槽，并灌入量子点材料；

在所述N型GaN上增设透明保护层；

对整个白光Micro LED蚀刻结构作密封处理。

7.根据权利要求5或6所述的一种基于倒装结构的白光Micro LED结构，其特征在于，所述量子阱包括紫光量子阱和蓝光量子阱，所述Micro LED芯片每相邻的三个设为一个芯片组，每个芯片组的前两个Micro LED芯片依次灌入红色量子点材料、绿色量子点材料；

当所述量子阱为紫光量子阱，每个芯片组的第三个Micro LED芯片灌入蓝色量子点材料；

当所述量子阱为蓝光量子阱，每个芯片组的第三个Micro LED芯片不作处理。