[发明专利]一种基于倒装结构的白光Micro LED结构

说明书

本发明公开了一种基于倒装结构的白光Micro LED结构，包括电路基板和Micro LED芯片，所述Micro LED芯片等间距交错分布在所述电路基板上，所述Micro LED芯片通过P电极和N电极与电路基板的正负极相连接，所述P电极通过P型GaN与N型GaN连接，在所述P型GaN与N型GaN之间的界面处形成量子阱，并在所述Micro LED芯片内灌入量子点材料，在各个所述Micro LED芯片之间的间隔处填充黑胶，本发明能够将LED芯片和白光转化为一体的白光micro LED实现结构，不仅具备传统LED高效率、高亮度、高可靠性和反应时间快的优点，还具有节能、机构简单、体积小、薄型以及发光无需背光源的特点，加工更容易实现。

技术领域

本发明涉及半导体显示技术领域，具体为一种基于倒装结构的白光MicroLED结构。

背景技术

Micro LED技术，即LED微缩化和矩阵化技术。指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED尺寸，如LED显示屏每一个像素可定址、单独驱动点亮，将像素等级由毫米级降低至微米级。

Micro LED不仅继承了传统LED高效率、高亮度、高可靠性和反应时间快的优点，还具有节能、机构简单、体积小、薄型以及发光无需背光源的特点。但是现有Micro LED结构的加工难度上还有待进一步改进。

发明内容

为了克服现有技术方案的不足，本发明提供一种基于倒装结构的白光Micro LED结构，改变了Micro LED的结构，加工更容易实现，能有效的解决背景技术提出的问题。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种基于倒装结构的白光Micro LED结构，包括电路基板和Micro LED芯片，所述Micro LED芯片等间距交错分布在所述电路基板上，所述Micro LED芯片通过P电极和N电极与电路基板的正负极相连接，所述P电极通过P型GaN与N型GaN连接，在所述P型GaN与N型GaN之间的界面处形成量子阱，并在所述Micro LED芯片内灌入量子点材料，在各个所述MicroLED芯片之间的间隔处填充黑胶。

优选地，在所述N型GaN上方设置覆盖Micro LED芯片的透明保护层；

优选地，在所述N电极的两侧均形成有通孔。

优选地，所述量子点材料包括红色量子点材料、绿色量子点材料和蓝色量子点材料。

优选地，所述Micro LED芯片为形成于N型GaN上方的外延结构时，白光Micro LED结构的实现方法包括：

蚀刻所述P型GaN，一部分蚀刻穿透所述量子阱，另一部分不做蚀刻处理；

在未完全蚀刻的P型GaN下部加上P电极；

在由于完全蚀刻露出的N型GaN下部加上N电极；

在N型GaN上方均匀加上挡墙结构；

蚀刻挡墙结构，使挡墙处形成一个个独立的Micro LED芯片，将量子点材料灌入Micro LED芯片内；

在各个挡墙形成Micro LED芯片的间隔处填充黑胶；

在所述量子点的上方增设覆盖住所述量子点和黑胶的透明保护层；

对整个白光Micro LED外延结构作密封处理。

优选地，所述Micro LED芯片为形成于N型GaN嵌入上表面内部的蚀刻结构时，白光Micro LED结构的实现方法包括：

蚀刻所述P型GaN，一部分蚀刻穿透量子阱，另一部分不做蚀刻处理；

在未完全蚀刻的P型GaN下部加上P电极；