[发明专利]一种大尺寸蓝宝石衬底晶圆片的面型修复方法

权利要求书

1.一种大尺寸蓝宝石衬底晶圆片的面型修复方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1)贴片：采用真空吸附晶片，在晶片未被吸附的一面均匀涂覆UV胶并轻压贴于干净平坦的陶瓷盘上，采用紫外线照射晶片表面，直至UV胶凝固，关闭紫外线灯光；

步骤2)单面研磨：将步骤1)贴片后的陶瓷盘放于单面研磨机上，采用研磨液对晶片单面进行均匀磨削；

步骤3)检测：在陶瓷盘上对经步骤2)处理的单个晶片取5～8个点，使用量表测量晶片的厚度，并计算厚度的差异，要求厚度差异小于2μm；

步骤4)下片：将步骤3)检测合格的贴有晶片的陶瓷盘放于加热平台上，对陶瓷盘进行加热，待UV胶熔化后，取下晶片，采用清洗剂配合超声清洗晶片并甩干；

步骤5)退火：将经步骤4)清洗后的晶片采用高温烧结，去除研磨过程中机械力对晶片产生的应力，降低晶片的翘曲度；

步骤6)再贴片：针对步骤5)退火后的晶片，将经步骤2)单面研磨的一面采用液态蜡贴片工艺贴于干净平坦的陶瓷盘上；

步骤7)硬抛：将步骤6)贴片后的陶瓷盘放于单面铜抛机上，采用钻石液对晶片另一个面进行均匀磨削；

步骤8)再检测：在陶瓷盘上对经步骤7)处理的单个晶片取5～8个点，使用量表测量晶片的厚度，并计算厚度的差异，要求厚度差异小于2μm；

步骤9)下蜡清洗：将步骤8)检测合格的贴有晶片的陶瓷盘放于加热平台上，对陶瓷盘进行加热，待液态蜡熔化后，取下晶片，采用清洗剂配合超声清洗晶片并甩干，即可。

2.根据权利要求1所述的一种大尺寸蓝宝石衬底晶圆片的面型修复方法，其特征在于，步骤1)所述将晶片轻压贴于陶瓷盘上的作用压力小于5kg。

3.根据权利要求1所述的一种大尺寸蓝宝石衬底晶圆片的面型修复方法，其特征在于，步骤1)所述紫外线照射晶片的时间为5～10s。

4.根据权利要求1所述的一种大尺寸蓝宝石衬底晶圆片的面型修复方法，其特征在于，步骤2)所述研磨的压力为30～60g/cm²。

5.根据权利要求1所述的一种大尺寸蓝宝石衬底晶圆片的面型修复方法，其特征在于，步骤2)所述研磨液为D50粒径为70μm的碳化硼研磨液。

6.根据权利要求1所述的一种大尺寸蓝宝石衬底晶圆片的面型修复方法，其特征在于，步骤7)所述钻石液为粒径为4.0μm的多晶钻石液。