[发明专利]一种大尺寸蓝宝石衬底晶圆片的面型修复方法

说明书

本发明公开了一种大尺寸蓝宝石衬底晶圆片的面型修复方法，该方法具体为：首先在晶片的一面均匀涂覆UV胶并轻压贴于陶瓷盘上，采用紫外线照射晶片表面直至UV胶凝固；再对陶瓷盘上的晶片进行单面研磨；检测研磨效果后取下并清洗晶片；然后对晶片进行退火处理；再在经单面研磨的一面均匀涂覆液态蜡并烘烤后贴于陶瓷盘上；对晶片另一个面进行硬抛；检测硬抛效果后下蜡清洗即可。该方法对于蓝宝石衬底晶圆的面型修复效果好，磨削量少，一方面可以有效降低晶片的翘曲度，另一方面能够提高生产的效率和成本。

技术领域

本发明属于晶体加工领域，具体涉及一种大尺寸蓝宝石衬底晶圆片的面型修复方法。

背景技术

在蓝宝石衬底片的加工中，晶片的尺寸越大，在切片后晶片的翘曲度则越大。为降低晶片的翘曲度，在后道的加工过程中，传统工艺一般采用对晶片进行双面研磨和单面硬抛的方式，对晶片的表面双面修复，以达到降低晶片翘曲度，维持晶片表面平坦的目的。但传统的加工工艺存在如下不足：(1)由于切片后蓝宝石的韧性较好，在双面研磨盘的压力下，会将晶片压平，对晶片双面进行均匀的磨削，在盘压力释放后，晶片会恢复之前的面型，导致双面研磨对于晶片面型的修复作用较小；(2)面型修复分为双面研磨和单面硬抛的方式，一方面为了降低晶片的翘曲度，另一方面为了去除晶片表面的损伤层，保障晶片的翘曲度，则需要修复时间长，磨削量多，才能达到保证晶片平坦的目的。

发明内容

针对现有技术在蓝宝石衬底晶圆片的面型修复方面的不足，本发明提供了一种大尺寸蓝宝石衬底晶圆片的面型修复方法，该方法对于蓝宝石衬底晶圆的面型修复效果好，磨削量少，一方面可以有效降低晶片的翘曲度，另一方面能够提高生产的效率和成本。

本发明是通过以下技术方案实现的：

一种大尺寸蓝宝石衬底晶圆片的面型修复方法，包括以下步骤：

步骤1)贴片：采用真空吸附晶片，在晶片未被吸附的一面均匀涂覆UV胶并轻压贴于干净平坦的陶瓷盘上，采用紫外线照射晶片表面，直至UV胶凝固，关闭紫外线灯光；

步骤2)单面研磨：将步骤1)贴片后的陶瓷盘放于单面研磨机上，采用研磨液对晶片单面进行均匀磨削；

步骤3)检测：在陶瓷盘上对经步骤2)处理的单个晶片取5～8个点，使用量表测量晶片的厚度，并计算厚度的差异，要求厚度差异小于2μm；

步骤4)下片：将步骤3)检测合格的贴有晶片的陶瓷盘放于加热平台上，对陶瓷盘进行加热，待UV胶熔化后，取下晶片，采用清洗剂配合超声清洗晶片并甩干；

步骤5)退火：将经步骤4)清洗后的晶片采用高温烧结，去除研磨过程中机械力对晶片产生的应力，降低晶片的翘曲度；

步骤6)再贴片：针对步骤5)退火后的晶片，将经步骤2)单面研磨的一面采用液态蜡贴片工艺贴于干净平坦的陶瓷盘上；

步骤7)硬抛：将步骤6)贴片后的陶瓷盘放于单面铜抛机上，采用钻石液对晶片另一个面进行均匀磨削；

步骤8)再检测：在陶瓷盘上对经步骤7)处理的单个晶片取5～8个点，使用量表测量晶片的厚度，并计算厚度的差异，要求厚度差异小于2μm；

步骤9)下蜡清洗：将步骤8)检测合格的贴有晶片的陶瓷盘放于加热平台上，对陶瓷盘进行加热，待液态蜡熔化后，取下晶片，采用清洗剂配合超声清洗晶片并甩干，即可。

优选地，步骤1)所述将晶片轻压贴于陶瓷盘上的作用压力小于5kg。

优选地，步骤1)所述紫外线照射晶片的时间为5～10s。

优选地，步骤2)所述研磨的压力为30～60g/cm²。

优选地，步骤2)所述研磨液为D50粒径为70μm的碳化硼研磨液。