[发明专利]MIP电容的制造方法

权利要求书

1.一种MIP电容的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、在形成有场氧化层的半导体衬底上形成第一多晶硅层；所述MIP电容的形成区域位于所述场氧化层上；

步骤二、形成第二绝缘层；

步骤三、在所述第二绝缘层表面形成第三金属层；

步骤四、进行第一次光刻形成第一光刻胶图形，所述第一光刻胶图形定义出所述MIP电容的第一电极板的形成区域；

步骤五、以所述第一光刻胶图形为掩模对所述第三金属层进行第一次刻蚀形成所述第一电极板；

步骤六、去除所述第一光刻胶图形；

步骤七、在所述第一电极板的侧面形成由第四绝缘层组成的侧墙；

步骤八、以所述第一电极板和所述侧墙为掩模对所述第二绝缘层进行第二次刻蚀在所述第一电极板的底部自对准形成所述MIP电容的电极间介质层，所述侧墙用于在所述第二次刻蚀中对所述电极间介质层的边缘进行保护；

步骤九、进行第二次光刻形成第二光刻胶图形，所述第二光刻胶图形定义出所述MIP电容的第二电极板的形成区域；

步骤十、以所述第二光刻胶图形为掩模对所述第一多晶硅层进行第三次刻蚀形成所述第二电极板；之后，去除所述第二光刻胶图形。

2.如权利要求1所述的MIP电容的制造方法，其特征在于：所述半导体衬底为硅衬底。

3.如权利要求2所述的MIP电容的制造方法，其特征在于：所述场氧化层采用浅沟槽隔离工艺形成；或者，所述场氧化层采用局部场氧隔离工艺形成。

4.如权利要求1所述的MIP电容的制造方法，其特征在于：步骤一中在形成所述第一多晶硅层之后还包括在所述第一多晶硅层表面形成第一金属硅化物的步骤。

5.如权利要求4所述的MIP电容的制造方法，其特征在于：所述第一金属硅化物的材料为硅化钨。

6.如权利要求5所述的MIP电容的制造方法，其特征在于：所述第三金属层的材料为硅化钨。

7.如权利要求5所述的MIP电容的制造方法，其特征在于：所述第一金属硅化物的厚度为

8.如权利要求6所述的MIP电容的制造方法，其特征在于：所述第三金属层的厚度为

9.如权利要求2所述的MIP电容的制造方法，其特征在于：所述第二绝缘层的材料为氧化层。

10.如权利要求9所述的MIP电容的制造方法，其特征在于：所述第二绝缘层的厚度为

11.如权利要求9所述的MIP电容的制造方法，其特征在于：步骤七中，所述第四绝缘层的材料为氧化层。

12.如权利要求11所述的MIP电容的制造方法，其特征在于：所述第四绝缘层以TEOS作为硅源并采用CVD沉积工艺形成。

13.如权利要求12所述的MIP电容的制造方法，其特征在于：所述第四绝缘层形成之后，采用刻蚀工艺形成所述侧墙且所述侧墙的刻蚀工艺采用所述第二次刻蚀，所述第二次刻蚀先刻蚀形成所述侧墙，接着步骤八的刻蚀形成所述电极间介质层。

14.如权利要求1所述的MIP电容的制造方法，其特征在于：步骤一中所述场氧化层隔离出有源区，在所述有源区中形成有MOS晶体管。

15.如权利要求14所述的MIP电容的制造方法，其特征在于：步骤九中的所述第二光刻胶图形同时定义出所述MOS晶体管的栅极结构的形成区域，步骤十的所述第三次刻蚀工艺同时形成所述MOS晶体管的所述栅极结构。