[发明专利]MIP电容的制造方法

说明书

本发明公开了一种MIP电容的制造方法，包括步骤：形成第一多晶硅层；形成第二绝缘层；形成第三金属层；形成第一光刻胶图形定义出MIP电容的第一电极板的形成区域；对第三金属层进行第一次刻蚀形成所述第一电极板；去除第一光刻胶图形；在第一电极板的侧面形成由第四绝缘层组成的侧墙；进行第二次刻蚀在第一电极板的底部自对准形成MIP电容的电极间介质层；形成第二光刻胶图形定义出MIP电容的第二电极板的形成区域；对第一多晶硅层进行第三次刻蚀形成所述第二电极板；之后，去除第二光刻胶图形。本发明能防止电极板间介质层的边缘的厚度变薄而使MIP电容在边缘处提前击穿的情形发生，能使MIP电容的击穿电压稳定，提高产品良率。

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路制造方法，特别是涉及一种MIP电容的制造方法。

背景技术

如图1A至图1E所示，是现有MIP电容的制造方法的各步骤中的器件结构示意图；现有MIP电容的制造方法包括如下步骤：

步骤一、如图1A所示，在形成有场氧化层101的半导体衬底上形成第一多晶硅层102；所述MIP电容的形成区域位于所述场氧化层101上。

通常，所述半导体衬底为硅衬底。

在形成所述第一多晶硅层102之后还包括在所述第一多晶硅层102表面形成第一金属硅化物103的步骤。

所述第一金属硅化物103的材料通常采用硅化钨。

所述场氧化层101采用浅沟槽隔离工艺形成；或者，所述场氧化层101采用局部场氧隔离工艺形成。

所述场氧化层101隔离出有源区，在所述有源区中形成有MOS晶体管。

步骤二、如图1A所示，形成第二绝缘层104。

通常，所述第二绝缘层104的材料为氧化层。

步骤三、如图1A所示，在所述第二绝缘层104表面形成第三金属层105。

通常，所述第三金属层105的材料为硅化钨。

步骤四、如图1B所示，进行第一次光刻形成第一光刻胶图形106，所述第一光刻胶图形106定义出所述MIP电容的第一电极板105a的形成区域。

步骤五、如图1C所示，以所述第一光刻胶图形106为掩模对所述第三金属层105 进行第一次刻蚀形成所述第一电极板105a。第一次刻蚀工艺通常对应于DRP工艺。

步骤六、如图1D所示，以所述第一光刻胶图形106为掩模接着对所述第二绝缘层104进行第二次刻蚀形成所述MIP电容的电极间介质层104a。第二次刻蚀工艺通常对应于DRE工艺。

之后，去除所述第一光刻胶图形106。

步骤七、进行第二次光刻形成第二光刻胶图形，所述第二光刻胶图形定义出所述MIP电容的第二电极板的形成区域。

所述第二光刻胶图形同时定义出所述MOS晶体管的栅极结构的形成区域。

步骤八、如图1E所示，以所述第二光刻胶图形为掩模对所述第一金属硅化物103和第一多晶硅层102进行第三次刻蚀形成由刻蚀后的所述第一多晶硅层102a和所述第一金属硅化物103a叠加形成的所述第二电极板；之后，去除所述第二光刻胶图形。

所述第三次刻蚀工艺同时形成所述MOS晶体管的所述栅极结构。

现有方法中，在完成步骤五的第一次刻蚀、步骤六的第二次刻蚀以及去除所述第一光刻胶图形106之后，容易在MIP电容的边缘处容易发生绝缘层即电极间介质层 104a厚度不够，如图1E中的虚线圈107所示，边缘107处容易先发生击穿，从而会导致MIP电容的击穿电压(BV)偏低，使产品良率降低。

发明内容