[发明专利]光学指纹识别芯片以及制造方法在审
申请号: | 201910682191.7 | 申请日: | 2019-07-26 |
公开(公告)号: | CN110379826A | 公开(公告)日: | 2019-10-25 |
发明(设计)人: | 郝志;张宜;杨振国;刘文涛;焉逢运;程泰毅 | 申请(专利权)人: | 上海思立微电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G06K9/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 张印铎;李辉 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 感光区域 光学指纹 透光 微孔 聚光阵列 微透镜 芯片 衬底 半导体 聚焦 制造 不透光材料 指纹识别 光能 物距 遮盖 申请 | ||
1.一种光学指纹识别芯片,其特征在于,包括:
设有感光区域的半导体衬底;
设置于所述半导体衬底上的去光部;所述去光部将所述感光区域遮盖;所述去光部的材质为不透光材料;所述去光部上设有多个透光微孔;
聚光阵列;所述去光部位于所述聚光阵列和感光区域之间;所述聚光阵列包括与所述多个透光微孔相对应的多个微透镜;所述微透镜聚焦的光能通过所对应的透光微孔并被所述感光区域接收。
2.如权利要求1所述光学指纹识别芯片,其特征在于,所述聚光阵列和所述去光部之间还设有吸光层;所述吸光层在所述微透镜和所述透光微孔之间设有多个通孔。
3.如权利要求2所述光学指纹识别芯片,其特征在于,所述通孔的面积大于所述透光微孔的面积。
4.如权利要求2所述光学指纹识别芯片,其特征在于,所述吸光层和所述去光部之间设有钝化层。
5.如权利要求4所述光学指纹识别芯片,其特征在于,所述钝化层和所述吸光层之间还设有第一平坦层,所述第一平坦层具有设置所述吸光层的平整表面。
6.如权利要求2所述光学指纹识别芯片,其特征在于,所述吸光层和所述聚光阵列之间设有第二平坦层;所述第二平坦层具有设置所述聚光阵列的平整表面。
7.如权利要求1所述光学指纹识别芯片,其特征在于,所述半导体衬底上设有多个感光区域;所述半导体衬底上设有介质层;多个所述去光部设置于所述介质层上并与所述多个感光区域相对应设置;所述去光部的面积与所对应感光区域的面积相匹配。
8.如权利要求7所述光学指纹识别芯片,其特征在于,沿垂直于所述半导体衬底方向,所述微透镜和所对应的透光微孔相对齐设置,所述去光部与所述感光区域相对齐设置。
9.如权利要求1所述光学指纹识别芯片,其特征在于,沿垂直于所述半导体衬底方向,所述微透镜与所对应的透光微孔之间的间距和该微透镜的焦距相匹配。
10.如权利要求1所述光学指纹识别芯片,其特征在于,多个所述微透镜呈阵列排布,所述去光部上的多个透光微孔呈阵列排布。
11.如权利要求2所述光学指纹识别芯片,其特征在于,所述去光部的材质为金属;所述吸光层的材质为金属、黑胶、滤光片中的至少一种。
12.如权利要求7所述光学指纹识别芯片,其特征在于,所述介质层设有两层或更多层的金属层;多个所述去光部分布在至少一层所述金属层。
13.如权利要求12所述光学指纹识别芯片,其特征在于,所述金属层包括形成所述去光部的金属区块、以及位于所述金属区块周侧的金属线路;每个金属区块上设有多个呈阵列排布的所述透光微孔;所述金属线路与所述金属区块相间隔绝缘设置。
14.如权利要求1所述光学指纹识别芯片,其特征在于,所述感光区域和所述聚光阵列之间,任意两个所述去光部互不层叠设置。
15.如权利要求12所述光学指纹识别芯片,其特征在于,沿垂直于所述半导体衬底方向,所述去光部所对应的其他金属层的区域为未设置金属材料的空置区域。
16.如权利要求12所述光学指纹识别芯片,其特征在于,多个所述去光部位于同一金属层,多个所述去光部相间隔分布,并且与所在金属层的金属线路相间隔设置。
17.如权利要求16所述光学指纹识别芯片,其特征在于,多个所述金属层中,最远离所述半导体衬底的金属层为顶层金属层;所述顶层金属层位于所述介质层远离所述半导体衬底的顶部;多个所述去光部位于所述顶层金属层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的