[发明专利]光学指纹识别芯片以及制造方法在审
申请号: | 201910682191.7 | 申请日: | 2019-07-26 |
公开(公告)号: | CN110379826A | 公开(公告)日: | 2019-10-25 |
发明(设计)人: | 郝志;张宜;杨振国;刘文涛;焉逢运;程泰毅 | 申请(专利权)人: | 上海思立微电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G06K9/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 张印铎;李辉 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 感光区域 光学指纹 透光 微孔 聚光阵列 微透镜 芯片 衬底 半导体 聚焦 制造 不透光材料 指纹识别 光能 物距 遮盖 申请 | ||
本申请公开一种光学指纹识别芯片以及制造方法,该光学指纹识别芯片包括:设有感光区域的半导体衬底;设置于所述半导体衬底上的去光部;所述去光部将所述感光区域遮盖;所述去光部的材质为不透光材料;所述去光部上设有多个透光微孔;聚光阵列;所述去光部位于所述聚光阵列和感光区域之间;所述聚光阵列包括与所述多个透光微孔相对应的多个微透镜;所述微透镜聚焦的光能通过所对应的透光微孔并被所述感光区域接收。所述感光区域能够接收经所述微透镜聚焦并通过所述透光微孔的光信号。该光学指纹识别芯片以及制造方法能够在缩短物距的条件下进行指纹识别。
技术领域
本申请涉及指纹识别技术领域,尤其涉及一种光学指纹识别芯片以及制造方法。
背景技术
本部分的描述仅提供与本申请公开相关的背景信息,而不构成现有技术。
目前,光学指纹识别主要采用CIS(CMOS Image Sensor,CMOS图像传感器)的成像原理,通过对生物指纹进行信号采取,并最终成像。将所成的图像与已经存储的图像进行对比,从而鉴别生物指纹相关的信息。
随着手机屏下指纹识别的需求不断增加,对于光学指纹芯片的要求也越来越多样,其中对于其成像的物距也在要求不断的压缩,从而方便容纳更大容量的电池。但是,传统的光学指纹芯片都配备有大镜头(例如:具有多个层叠设置凸透镜的镜头组件),利用大镜头对光线统一聚焦成像,由于配备大镜头方案的光学指纹芯片的焦距无法缩小,因而无法满足缩小物距的要求。
应该注意,上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明,并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
发明内容
鉴于上述不足,本申请的一个目的是提供一种光学指纹识别芯片以及制造方法,以能够在缩短物距的条件下进行指纹识别。
为达到上述目的,本申请采用如下技术方案:
一种光学指纹识别芯片,包括:
设有感光区域的半导体衬底;
设置于所述半导体衬底上的去光部;所述去光部将所述感光区域遮盖;所述去光部的材质为不透光材料;所述去光部上设有多个透光微孔;
聚光阵列;所述去光部位于所述聚光阵列和感光区域之间;所述聚光阵列包括与所述多个透光微孔相对应的多个微透镜;所述微透镜聚焦的光能通过所对应的透光微孔并被所述感光区域接收。
作为一种优选的实施方式,所述聚光阵列和所述去光部之间还设有吸光层;所述吸光层在所述微透镜和所述透光微孔之间设有多个通孔。
作为一种优选的实施方式,所述通孔的面积大于所述透光微孔的面积。
作为一种优选的实施方式,所述吸光层和所述去光部之间设有钝化层。
作为一种优选的实施方式,所述钝化层和所述吸光层之间还设有第一平坦层,所述第一平坦层具有设置所述吸光层的平整表面。
作为一种优选的实施方式,所述吸光层和所述聚光阵列之间设有第二平坦层;所述第二平坦层具有设置所述聚光阵列的平整表面。
作为一种优选的实施方式,所述半导体衬底上设有多个感光区域;所述半导体衬底上设有介质层;多个所述去光部设置于所述介质层上并与所述多个感光区域相对应设置;所述去光部的面积与所对应感光区域的面积相匹配。
作为一种优选的实施方式,沿垂直于所述半导体衬底方向,所述微透镜和所对应的透光微孔相对齐设置,所述去光部与所述感光区域相对齐设置。
作为一种优选的实施方式,沿垂直于所述半导体衬底方向,所述微透镜与所对应的透光微孔之间的间距和该微透镜的焦距相匹配。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的