[发明专利]一种香菇栽培基质及栽培方法

权利要求书

1.一种香菇栽培基质，按质量配比计数，包括以下组分：木屑30～60份，玉米芯10～40份、玉米秸秆粉10～40份、麦麸18份、轻质碳酸钙0.1~1份、石膏0.1~1份、白糖0.1~1份。

2.根据权利要求1所述的一种香菇栽培基质，其特征在于：所述的木屑30份、玉米芯40份、玉米秸秆粉10份、麦麸18份、轻质碳酸钙0.5份、石膏0.5份、白糖0.5份。

3.一种香菇栽培方法，它包括：

1）装袋：按权利要求1所述一种香菇栽培基质的组分，称量各原料，玉米秸秆粉粉碎、过筛，将轻质碳酸钙、石膏与白糖混合，再与木屑、玉米芯和过筛后的玉米秸秆粉混合，加水，调节含水量至55％～60％，装袋；

2）接种：灭菌，冷却降温，得到香菇培养基；将香菇栽培菌种按菌种质量1%（6g）接种于灭菌的栽培基质中，形成菌棒，进行培养；

3）发菌及转色：在温度为20～25℃、空气相对湿度为70％～75％、散射光且通风的黑暗条件下进行转色；

4）出菇：转色完成后形成原基，脱袋，在温度为20～30℃、空气相对湿度为75％～85％的条件下刺激出菇；

5）子实体形成：在温度为18～30℃、空气相对湿度为70％～75％的条件下形成香菇子实体。

4.根据权利要求3所述的一种香菇栽培方法，其特征在于：步骤1）所述的过10～20目筛；木屑颗粒大小为0.5～1.0cm、玉米芯颗粒大小为0.5～0.7cm。

5.根据权利要求4所述的一种香菇栽培方法，其特征在于：步骤2）所述的将香菇栽培菌种按菌种质量1%接种于灭菌的栽培基质中。

6.根据权利要求5所述的一种香菇栽培方法，其特征在于：步骤2）所述的灭菌为高压灭菌，温度为121℃，时间为120～180min；所述的冷却降温至15~25℃。

7.根据权利要求6所述的一种香菇栽培方法，其特征在于：步骤3）所述的散射光是白炽灯光强度为100～200lx的光，通风为保持室内含氧量19％~21％。

8.根据权利要求7所述的一种香菇栽培方法，其特征在于：步骤4）所述的刺激出菇是指每12h内，栽培环境温度变化为5～10℃，菌棒表面需淋水5min。