[发明专利]液晶手写膜的切割方法及液晶手写膜

权利要求书

1.一种液晶手写膜的切割方法，所述液晶手写膜包括上基膜、上基膜导电层、液晶浆料层、下基膜导电层和下基膜，其特征在于，所述切割方法包括：

将整块的液晶膜切割成多个相互独立分离的预设尺寸液晶手写膜；

沿所述预设尺寸液晶手写膜四周偏移预定距离，调整切割机的相应参数，将上基膜导电层切断并在上基膜表面形成一条切割线，该切割线的切割深度小于上基膜的厚度；

其中，所述上基膜导电层对紫外激光的吸收速率大于所述上基膜对紫外激光的吸收速率。

2.根据权利要求1所述的液晶手写膜的切割方法，其特征在于，在所述将整块的液晶膜切割成多个相互独立分离的预设尺寸液晶手写膜的步骤中，采用刀切、裁剪、冲切、激光切割、超声波切割的方式切割出所述预设尺寸液晶手写膜。

3.根据权利要求1所述的液晶手写膜的切割方法，其特征在于，在沿所述预设尺寸液晶手写膜四周偏移预定距离，将上基膜导电层切断并在上基膜表面形成一条切割线，该切割线的切割深度小于上基膜的厚度的步骤中，采用激光切割的方式切割所述预设尺寸液晶手写膜。

4.根据权利要求3所述的液晶手写膜的切割方法，其特征在于，在所述采用激光切割的方式切割所述预设尺寸液晶手写膜的步骤中，采用紫外波段激光切割机切割所述预设尺寸液晶手写膜。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的液晶手写膜的切割方法，其特征在于，所述切割线与所述预设尺寸液晶手写膜四周边缘的距离为0.01mm～50mm。

6.一种液晶手写膜，所述液晶手写膜包括上基膜、上导电层、液晶层、下导电层和下基膜，其特征在于，所述液晶手写膜的上基膜导电层切断且上基膜表面形成有一条切割线，该切割线的深度小于上基膜的厚度。

7.根据权利要求6所述的液晶手写膜，其特征在于，所述切割线与所述液晶手写膜四周边缘的距离为0.01mm～50mm。