[发明专利]液晶手写膜的切割方法及液晶手写膜

说明书

本发明公开一种液晶手写膜的切割方法，该液晶手写膜的切割方法是将整块的液晶膜切割成多个相互独立分离的预设尺寸液晶手写膜；沿所述预设尺寸液晶手写膜四周偏移预定距离，将上基膜导电层切断并在上基膜表面形成一条切割线，该切割线的切割深度小于上基膜的厚度。本发明通过切断上基膜导电层，使得上基膜导电层的电压无法到达液晶手写膜边缘，解决了在对液晶膜进行切割时，上下基膜导电层发生连接短路的问题，并且由于上基膜的切割深度小于上基膜的厚度，使得液晶手写膜的液晶泄露问题得到了解决。

技术领域

本发明涉及液晶手写板技术领域，特别涉及一种液晶手写膜的切割方法及液晶手写膜。

背景技术

在液晶手写膜领域，为了实现对比度和显示亮度更高的笔迹效果。常用的做法是提升液晶和手性剂在整体配方中的比例，同时降低聚合物在配方中比例。但聚合物含量的降低会引起对上、下基膜导电层的粘附力下降，导致液晶手写膜成品在组装成液晶手写板的工艺过程中以及在后续客户使用过程中容易出现液晶膜上下分层状况。另一方面，由于在液晶手写膜中夹在两层导电膜之间的聚合物含量少，对上、下基膜导电层的支撑作用被减弱了，使得通过卷对卷生产工艺制备出来的整卷的液晶卷膜在使用激光切割机切割成定制尺寸时，上、下基膜导电层会由于聚合物支撑作用的减弱而发生不可控的连接短路，使得经过激光切割后的定制尺寸的液晶手写膜在搭载电路驱动时无法清除笔迹或笔迹清除不彻底，极大的降低了液晶手写膜的生产良率，提升了成本。

另外，在切割时由于切割工艺的不完善还容易使短路现象愈加严重，进一步提升生产不良率。为了改善短路现象的发生，设计人员提供了多种设计方案。例如，申请号为CN201811623151.7的中国专利，公布了一种液晶膜片切割方法及成品液晶膜片。该方法在将液晶膜片切割成多个预设尺寸的成品膜片之后，在所述膜片本体的正面或反面、离所述成品膜片四周边缘线预设距离处进行再次切割形成半切断线，该半切断线将所述成品膜片的上膜导电层、下膜导电层其中之一切断，使得上膜导电层或下膜导电层的电压无法到达液晶膜片边缘，从而使得上膜导电层、下膜导电层不短路。

上述现有技术中，虽然一定程度上可以使液晶手写膜不短路，但由于由于切割方法是将上基膜和上基膜导电层全部切断，然后去边角料，容易导致液晶手写膜中的液晶泄露。由于液晶泄露，对上、下基膜导电层的支撑作用被减弱了，仍然容易发生不可控的连接短路。

发明内容

本发明的主要目的是提出一种液晶手写膜的切割方法，旨在解决现有的切割方法在对液晶卷膜进行切割时，上、下基膜导电层会发生连接短路的问题和液晶手写膜被切割后液晶容易泄露的问题。

为实现上述目的，本发明提出一种液晶手写膜的切割方法，该液晶手写膜的切割方法包括：

优选地，将整块的液晶膜切割成多个相互独立分离的预设尺寸液晶手写膜；沿所述预设尺寸液晶手写膜四周偏移预定距离，将上基膜导电层切断并在上基膜表面形成一条切割线，该切割线的切割深度小于上基膜的厚度。

优选地，在所述将整块的液晶膜切割成多个相互独立分离的预设尺寸液晶手写膜的步骤中，采用刀切，裁剪、冲切、激光切割、超声波切割的方式切割出所述预设尺寸液晶手写膜。

优选地，在所述沿预设尺寸液晶手写膜四周偏移预定距离，将上基膜导电层切断并在上基膜表面形成一条切割线，该切割线的切割深度小于上基膜的厚度的步骤中，采用激光切割的方式切割所述预设尺寸液晶手写膜。

优选地，在所述采用激光切割的方式切割所述液晶手写膜的步骤中，采用红外波段二氧化碳激光机、可见光波段激光切割机或紫外波段激光切割机切割所述预设尺寸液晶手写膜。

优选地，所述切割线与所述预设尺寸液晶手写膜四周边缘的距离为0.01mm～50mm。

本发明还提出了一种液晶手写膜，所述液晶手写膜的上基膜导电层切断且上基膜表面形成有一条切割线，该切割线的深度小于上基膜的厚度。