[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

多个第1导电体层，在第1方向上积层；

第1半导体层，在所述多个第1导电体层内沿所述第1方向延伸；

第1电荷累积层，设置在所述多个第1导电体层与所述第1半导体层之间；

多个第2导电体层，在所述多个第1导电体层之中最上层的上方沿所述第1方向积层；以及

第3导电体层，从所述多个第2导电体层之中最下层的上表面起，在所述多个第2导电体层之中除所述最下层以外的1个或多个层内沿所述第1方向延伸，且与所述多个第2导电体各自的上表面相接。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

沿着所述多个第2导电体层中的沿所述第1方向相邻的2个之中上方的下表面的所述第3导电体层的第1截面与所述相邻的2个之中下方的下表面上的所述第3导电体层的第2截面相似。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中

所述第1截面的直径与所述第2截面的直径的差对应于所述相邻的2个第2导电体层的沿着与所述第1方向交叉的第2方向的长度的差。

4.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中

从所述第1方向观察时，所述第1截面的外缘位于距所述第2截面的外缘大致等间隔之宽度。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其

还具备第1绝缘体层，且

所述第1绝缘体层包含：

第1部分，沿与所述第1方向交叉的第2方向延伸，将所述多个第2导电体层分断为沿着与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向排列的第1区域及第2区域；以及

第2部分，沿所述第3方向延伸，将所述第1区域分断为沿着所述第2方向排列的第3区域及第4区域。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中

所述第3导电体层设置在所述多个第2导电体层的所述第3区域或所述第4区域。

7.一种半导体存储装置，具备：

多个第1导电体层，在第1方向上积层；

第1半导体层，在所述多个第1导电体层内沿所述第1方向延伸；

第1电荷累积层，设置在所述多个第1导电体层与所述第1半导体层之间；

多个第2导电体层，在所述多个第1导电体层之中最上层的上方沿所述第1方向积层；以及

第1绝缘体层，包含第1部分及第2部分，所述第1部分沿与所述第1方向交叉的第2方向延伸，将所述多个第2导电体层分断为沿着与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向排列的第1区域及第2区域，所述第2部分沿所述第3方向延伸，将所述第1区域分断为沿着所述第2方向排列的第3区域及第4区域。

8.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其

还具备第3导电体层，所述第3导电体层在所述多个第2导电体层的所述第3区域或所述第4区域中，沿所述第1方向延伸，且将所述多个第2导电体层各自相互电连接。

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中

所述第3导电体层从所述多个第2导电体层之中最下层的上表面起，在所述多个第2导电体层之中除所述最下层以外的1个或多个层内沿所述第1方向延伸。

10.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其中

所述第3导电体层与所述多个第2导电体各自的上表面相接。

11.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其中

所述第3导电体层的上端位于比所述多个第2导电体层之中最上层的上表面更靠上方，且

所述半导体存储装置还具备第4导电体层，所述第4导电体层从所述第3导电体层的上端上沿所述第1方向延伸，且具有小于所述第3导电体层的直径。