[发明专利]一种原子层沉积系统

权利要求书

1.一种原子层沉积系统，其特征在于，所述原子层沉积系统包括流体源引入管道（3）、反应装置（1）、第一调控装置（2）以及用于将流体源引入反应装置本体（11）的副产物清除流体引入管道（5），所述反应装置（1）包括反应装置本体（11）、用于将流体源引入反应装置本体（11）的反应装置流体引入管道（12）和用于将流体引出反应装置本体（11）的反应装置流体引出管道（13），所述第一调控装置（2）包括第一调控装置本体（21）、用于将流体源引入第一调控装置本体（21）的第一调控装置流体引入管道（22）和用于将流体引出第一调控装置本体（21）的第一调控装置流体引出管道（23），所述反应装置流体引入管道（12）和第一调控装置流体引入管道（22）均与流体源引入管道（3）流体连通，还包括至少一个反应源供应装置（4），所述反应源供应装置（4）包括反应源阵列（41）、用于将含有反应源的流体引出反应源阵列（41）的反应源阵列流体引出管道（42），所述反应源阵列 流体引出管道（42）与反应装置本体（11）流体连通；

所述副产物清除流体引入管道（5）上设有流量控制装置，所述副产物清除流体引入管道（5）的流量参照τ=V/F，其中，τ不大于500毫秒，V为反应装置本体（ 11） 的体积，F为副产物清除流体引入管道（5）的流体流量；

所述第一调控装置流体引入管道（22）和/或第一调控装置流体引出管道（23）上设有流量控制装置，第一调控装置流体引入管道（22）的流量小于副产物清除流体引入管道（5）的流量；

和/或，所述反应装置流体引入管道（12）上设有流量控制装置，反应装置流体引入管道（12）的流量参照F≤1359.5PФ/T，其中F为反应装置流体引入管道（12）中的流体流量，单位为sccm，P代表反应装置本体（11）内压强，单位为Torr，T代表反应装置本体（11）内的温度，单位为K，Ф代表调控腔（111）入口横截面的周长，单位为厘米，反应装置本体（11）内的最大雷诺数为1600；

所述反应装置流体引出管道（13）上设有流量控制装置，反应装置流体引出管道（13）的流量不大于反应装置流体引入管道（12）的流量；

和/或，至少部分的管道上还设有加热装置；

还包括第二调控装置（6），所述第二调控装置（6）包括第二调控装置本体（61）、用于将流体引入第二调控装置本体（61）的第二调控装置流体引入管道（62）和用于将流体引出第二调控装置本体（61）的第二调控装置流体引出管道（63），所述第二调控装置本体（61）通过第二流体调控装置流体引入管道（62）与反应装置本体（11）流体连通。

2.如权利要求1所述的一种原子层沉积系统，其特征在于，第二调控装置流体引入管道（62）和/或第二调控装置流体引出管道（63）上设有流量控制装置；

和/或，所述第二调控装置（6）的流量与副产物清除流体引入管道（5）的流量相配合。

3.如权利要求1所述的一种原子层沉积系统，其特征在于，反应装置本体（11）包括调控腔（111）和反应腔（112），所述调控腔（111）与反应装置流体引入管道（12）流体连通，所述调控腔（111）以流体流动方向延伸形成反应腔（112），所述反应腔（112）与反应装置流体引出管道（13）流体连通。

4.如权利要求1所述的一种原子层沉积系统，其特征在于，包括两个以上反应源供应装置（4），至少部分的反应源供应装置（4）中，反应源阵列（41）各自通过独立的反应源阵列流体引出管道（42）与反应装置本体（11）流体连通；

和/或，所述反应源供应装置（4）还包括用于将流体源引入反应源阵列（41）的反应源阵列流体引入管道（43）；

和/或，所述反应源阵列流体引入管道（43）和/或反应源阵列流体引出管道（42）上设有流量控制装置。

5.如权利要求1所述的一种原子层沉积系统，其特征在于，还包括尾气处理装置（7），所述尾气处理装置（7）包括尾气处理装置本体（71）和用于将流体源引入尾气处理装置本体（71）的尾气处理装置流体引入管道（72），所述尾气处理装置本体（71）与反应装置流体引出管道（13）和/或第一调控装置流体引出管道（23）和/或第二调控装置流体引出管道（63）流体连通，所述尾气处理装置流体引入管道（72）上设有流量控制装置。