[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其具备：

在第1方向上从下方依序积层的源极线、第1选择栅极线、多个字线、第1虚拟字线、及第2选择栅极线；

第1半导体层，在所述第1选择栅极线、所述多个字线、及所述第1虚拟字线的内部沿所述第1方向延伸，且电连接在所述源极线；

多个存储单元，形成在所述第1半导体层与所述多个字线的交叉部分；

导电层，设置在所述第1半导体层上，在积层方向上与所述第1虚拟字线局部重叠，且包含N型扩散层；

第2半导体层，在所述第2选择栅极线的内部沿所述第1方向延伸，且与所述导电层相接；

位线，设置在所述第2选择栅极线的上方，且电连接在所述第2半导体层；以及

控制电路；且

所述控制电路在所述多个存储单元的擦除动作时，对所述源极线、所述第1选择栅极线、所述第2选择栅极线、及所述位线施加第1电压，对所述多个字线施加低于所述第1电压的第2电压，对所述第1虚拟字线施加所述第1电压与所述第2电压之间的第3电压。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第3电压比所述第1电压低8V以上。

3.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其还具备设置在所述第1虚拟字线与所述字线之间的第2虚拟字线，且

所述控制电路对所述第2虚拟字线施加与所述第1虚拟字线相同的电压。

4.一种半导体存储装置，其具备：

在第1方向上从下方依序积层的源极线、第1选择栅极线、多个第1字线、及第1虚拟字线；

第1半导体层，在所述第1选择栅极线、所述多个第1字线及所述第1虚拟字线的内部沿所述第1方向延伸，且电连接在所述源极线；

多个第1存储单元，形成在所述第1半导体层与所述多个第1字线的交叉部分；

连接部，设置在所述第1半导体层上，且包含N型扩散层；

在所述连接部的上方且所述第1方向上从下方依序积层的第2虚拟字线、多个第2字线、及第2选择栅极线；

第2半导体层，在所述第2虚拟字线、所述多个第2字线、及所述第2选择栅极线的内部沿所述第1方向延伸，且电连接在所述连接部；

多个第2存储单元，形成在所述第2半导体层与所述多个第2字线的交叉部分；

位线，设置在所述第2选择栅极线的上方，且电连接在所述第2半导体层；以及

控制电路；

所述连接部包含：

第1导电层，在积层方向上与所述第1虚拟字线局部重叠，且包含N型扩散层；及

第2导电层，在所述积层方向上与所述第2虚拟字线局部重叠，且包含N型扩散层；且

所述控制电路在所述多个第1存储单元的擦除动作时，对所述源极线、所述第1选择栅极线、所述第2虚拟字线、所述多个第2字线、所述第2选择栅极线、及所述位线施加第1电压，对所述多个第1字线施加低于所述第1电压的第2电压，对所述第1虚拟字线施加所述第1电压与所述第2电压之间的第3电压。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中

所述控制电路对所述源极线、所述第1选择栅极线、所述第1虚拟字线、所述多个第1字线、所述第2选择栅极线、及所述位线施加所述第1电压，对所述多个第2字线施加所述第2电压，对所述第2虚拟字线施加所述第3电压。

6.根据权利要求4或5所述的半导体存储装置，其中

所述第3电压比所述第1电压低8V以上。

7.根据权利要求4或5所述的半导体存储装置，其还具备设置在所述第1虚拟字线与所述第1字线之间的第3虚拟字线，且

所述控制电路对所述第3虚拟字线施加与所述第1虚拟字线相同的电压。

8.根据权利要求4或5所述的半导体存储装置，其还具备设置在所述第2虚拟字线与所述第2字线之间的第4虚拟字线，且

所述控制电路对所述第4虚拟字线施加与所述第2虚拟字线相同的电压。