[发明专利]一种吸附装置、曝光台、光刻设备及吸附方法在审
申请号: | 201910691314.3 | 申请日: | 2019-07-29 |
公开(公告)号: | CN112309947A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 蔡晨;王鑫鑫 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;G03F7/20 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 吸附 装置 曝光 光刻 设备 方法 | ||
本发明属于光刻技术领域,具体公开了一种吸附装置、曝光装置、光刻设备及吸附方法。吸附装置包括:吸盘,吸盘的基底吸附面环绕其中心开设有安装凹槽,且基底吸附面于安装凹槽的内侧开设有用于与真空源连通的吸附凹槽;密封圈,其下端密封设置在安装凹槽内,其上端用于与基底接触;当密封圈未与基底接触时,密封圈的上端凸出吸附面,当吸附凹槽处于真空状态时,密封圈完全位于安装凹槽内,且密封圈的上端与基底吸附面平齐。曝光装置包括上述吸附装置,光刻设备包括上述曝光装置,吸附方法应用于上述吸附装置对基底进行吸附。本发明公开的吸附装置、曝光装、光刻设备和吸附方法能够提高对翘曲基底的吸附能力,提高曝光稳定性和光刻质量。
技术领域
本发明涉及光刻技术领域,尤其涉及一种吸附装置、曝光台、光刻设备及吸附方法。
背景技术
在光刻中,曝光台用于将掩模板上的电路图形经过光学投影系统进行投影曝光,使电路图形以一定放大或缩小的倍率投影于制造集成电路的硅片上。在曝光进行之前,通常采用交接机构对硅片进行吸取并放置在曝光台的吸盘上,使吸盘对硅片进行真空吸附,以使硅片固定在在曝光台上,以防止硅片在曝光过程中产生移动。
随着集成电路制造行业技术的不断发展,硅片处理工艺多种多样,使得经常会有硅片产生较大的翘曲变形。采用常规的吸盘进行翘曲硅片的吸附时,由于硅片的翘曲导致在刚性吸附面上不能形成一个封闭的真空吸附腔,使吸盘难以对硅片进行有效吸附,从而影响硅片曝光的稳定性和曝光的质量。
发明内容
本发明的目的在于提供一种吸附装置,提高吸附装置对翘曲基底的吸附能力,提高基底吸附稳定性和可靠性。
本发明的又一目的在于提供一种曝光台,提高基底曝光稳定性和基底曝光质量。
本发明的另一目的在于提供一种光刻机,提高光刻稳定性和光刻质量。
本发明的再一目的在于提供一种吸附方法,提高对翘曲基底的吸附能力,提高基底吸附稳定性和可靠性。
为实现上述目的,本发明采用下述技术方案:
一种吸附装置,包括:
吸盘,所述吸盘的基底吸附面环绕其中心开设有安装凹槽,且所述基底吸附面于所述安装凹槽的内侧开设有用于与真空源连通的吸附凹槽;
密封圈,其下端密封设置在所述安装凹槽内,其上端用于与基底接触;
当所述密封圈未与所述基底接触时,所述密封圈的上端凸出所述吸附面,当所述吸附凹槽处于真空状态时,所述密封圈完全位于所述安装凹槽内,且所述密封圈的上端与所述基底吸附面平齐。
作为一种吸附装置的优选方法,所述吸盘于所述安装凹槽的内侧开设有吸附孔,所述吸附孔沿所述吸盘的厚度方向贯通所述吸盘,所述吸附装置还包括交接机构,所述交接机构包括:
吸附组件,其与所述基底吸附面垂直,所述吸附组件的下端位于所述吸盘下侧,所述吸附组件的上端能穿过并密封所述吸附孔,且所述吸附组件能相对所述吸盘沿垂直于所述吸盘的方向运动,所述吸附组件内开设有真空气道,所述真空气道贯穿所述吸附组件的上端面以吸附所述基底。
作为一种吸附装置的优选方法,所述吸附组件包括:
吸附柱,其与所述基底吸附面垂直,所述吸附柱的上端能伸入所述吸附孔中并能相对所述吸附孔沿垂直于所述基底吸附面的方向运动,所述吸附柱内开设有所述真空气道,所述真空气道的上端贯穿所述吸附柱的上端面,所述真空气道与真空源连通;
吸嘴,设置在所述吸附柱的上端且与所述真空气道连通,所述吸嘴的外表面能与所述吸附孔的内壁密封贴合,且所述吸嘴的上端高于所述吸附柱的上端面。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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