[发明专利]锁存型比较器失调误差的后台校正电路及方法

权利要求书

1.锁存型比较器失调误差的后台校正电路，包括相互连接的锁存型比较器（1）和校正电路（2），所述锁存型比较器（1）包括主输入对管、尾电流开关Q103、负载电路、复位电路、与门及选择器，其特征在于：在主输入对管的漏端设置有MOS管Q104和MOS管Q105所构成的辅助输入对管，且在辅助输入对管的源端上连接有尾电流开关Q106，且尾电流开关Q106与尾电流开关Q103共接；所述校正电路（2）包括分别与辅助输入对管的栅端相连接的第一校正电路和第二校正电路，在第一校正电路上设置有D触发器U201、选择器U202、充电开关、电荷共享开关及校正电容，D触发器U201控制连接选择器U202，选择器U202的输出依次串联充电开关和电荷共享开关，在充电开关和电荷共享开关的共接端通过一校正电容接地，电荷共享开关的非共接端亦通过一校正电容接地，电荷共享开关的非共接端与辅助输入对管的其中一个MOS管的栅端相连接。

2.根据权利要求1所述的锁存型比较器失调误差的后台校正电路，其特征在于：所述主输入对管包括MOS管Q101和MOS管Q102，在MOS管Q101和MOS管Q102的栅端皆连接一个选择器，尾电流开关Q103连接在主输入对管的源端上，尾电流开关Q103和尾电流开关Q106的栅端皆与与门的输出端相连接，主输入对管的漏端还连接负载电路，复位电路连接在负载电路上，复位电路连接与门电路的输出端。

3.根据权利要求2所述的锁存型比较器失调误差的后台校正电路，其特征在于：所述选择器采用二选一多路选择器，所述与门采用二输入与门。

4.根据权利要求1所述的锁存型比较器失调误差的后台校正电路，其特征在于：所述辅助输入对管所采用的MOS管的尺寸大小为主输入对管所采用的MOS管尺寸大小的1/4~1/8。

5.根据权利要求1所述的锁存型比较器失调误差的后台校正电路，其特征在于：所述选择器U201采用二选一多路选择器。

6.根据权利要求1所述的锁存型比较器失调误差的后台校正电路，其特征在于：所述第二校正电路上设置有充电开关、电荷共享开关及校正电容，充电开关和电荷共享开关相互串联，在充电开关和电荷共享开关的共接端通过一校正电容接地，电荷共享开关的非共接端亦通过一校正电容接地，且电荷共享开关的非共接端与辅助输入对管的其中另一个MOS管的栅端相连接。

7.根据权利要求6所述的锁存型比较器失调误差的后台校正电路，其特征在于：电荷共享开关非共接端设置的校正电容的电容值大于电荷共享开关共接端处设置的校正电容的电容值。

8.如权利要求1~7任一项所述的锁存型比较器失调误差的后台校正电路的校正方法，其特征在于：所述校正方法包括下述情况：

1）当充电开关的控制信号电平为低，电荷共享开关的控制信号电平为高时：

后台校正电路处于失调校正模式，所述锁存型比较器（1）上的选择器将共模电压VCM接到锁存型比较器（1）的输入，在此期间，接入的与门U113的一个输入电平CLK_CAL由高变低，使得锁存型比较器（1）进行一次锁存；

2）当充电开关的控制信号电平为高，电荷共享开关的控制信号电平为低时：

后台校正电路处于正常工作模式，所述锁存型比较器（1）上的选择器将同相和反相输入信号VIP和VIN接到锁存型比较器（1）的输入，在此期间，如果失调校正时VON输出为低电平，则第一校正电路中设置在充电开关和电荷共享开关处的校正电容将被充电到低电平；如果失调校正时VON输出为高电平，则第一校正电路中设置在充电开关和电荷共享开关处的校正电容将被充电到高电平；同时，第二校正电路中设置在充电开关和电荷共享开关处的校正电容总是被充电到共模电压VCM。

9.根据权利要求8所述的锁存型比较器失调误差的后台校正电路的校正方法，其特征在于：在下一个失调校正模式期间，第一校正电路中的两个校正电容将发生电荷共享，第二校正电路中的两个校正电容亦将发生电荷共享。