[发明专利]用于改进动态随机存取存储器(DRAM)中组件可靠性的系统和方法

说明书

本申请涉及用于改进动态随机存取存储器DRAM中组件可靠性的系统和方法。提供一种存储器装置。所述存储器装置包括至少一个字线驱动器，所述字线驱动器包括第一开关装置和第二开关装置，其中所述字线驱动器经配置以激活电耦合到包含在存储器组中的一或多个存储器单元的字线。所述存储器装置额外包括可操作地耦合到所述至少一个字线驱动器的存储器组控制器。所述存储器组控制器经配置以向所述至少一个字线驱动器提供字线电源PH信号、字线接通控制GR信号和字线断开控制PHF信号，并且调整所述PH信号、所述GR信号和所述PHF信号的定时，以减少或消除所述第一开关装置、所述第二开关装置或其组合的不导电应力NCS条件、时间相关的温度不稳定性TDDB条件，或其组合。

技术领域

本公开涉及一种动态随机存取存储器(DRAM)，且更具体地说涉及用于改进某些DRAM组件的可靠性的系统和方法。

背景技术

某些读取/写入存储器装置，例如动态随机存取存储器(DRAM)，包含具有存储信息的存储器单元的阵列。举例来说，某些DRAM装置，例如同步动态RAM(SDRAM)装置，可具有多个存储器组，所述多个存储器组具有包含在存储器阵列中的许多可寻址存储器元件或单元。某些电子组件可用于定义单元电路、阵列电路等等。在使用中，SDRAM装置可以高速度，例如每秒1千兆比特(Gbp)或更大的速度，接收数据输入信号，并基于数据输入信号将数据存储在存储器单元中。存储器单元可接着被外部系统访问，且可用于例如通过提供一或多个存储器单元的地址来检索存储在其中的数据。改进包含在DRAM系统中的某些组件的可靠性将是有益的。

本公开的实施例可涉及上述问题中的一或多个。

发明内容

本公开的一个方面提供一种存储器装置，其包括：至少一个字线驱动器，所述字线驱动器包括第一开关装置和第二开关装置，其中所述字线驱动器经配置以激活电耦合到包含在存储器组中的一或多个存储器单元的字线；以及存储器组控制器，其可操作地耦合到所述至少一个字线驱动器，其中所述存储器组控制器经配置以：向所述至少一个字线驱动器提供字线电源(PH)信号、字线接通控制(GR)信号和字线断开控制(PHF)信号；并且调整所述PH信号、所述GR信号和所述PHF信号的定时，以减少或消除所述第一开关装置、所述第二开关装置或其组合的不导电应力(NCS)条件、时间相关的温度不稳定性(TDDB)条件，或其组合。

本公开的另一方面提供一种用于操作存储器装置的方法，所述方法包括：向包含在所述存储器装置的存储器组中的至少一个字线驱动器提供字线电源(PH)信号、字线接通控制(GR)信号和字线断开控制(PHF)信号，其中所述至少一个字线驱动器包括第一开关装置和第二开关装置，且其中所述至少一个字线驱动器经配置以激活电耦合到所述存储器组的一或多个存储器单元的字线；以及调整所述PH信号、所述GR信号和所述PHF信号的定时，以减少或消除所述第一开关装置、所述第二开关装置或其组合的不导电应力(NCS)条件、时间相关的温度不稳定性(TDDB)条件，或其组合。

本公开的另一方面提供一种系统，所述系统包括：存储器组控制器，其可操作地耦合到至少一个字线驱动器，其中所述存储器组控制器经配置以：控制存储器组中数据的读取和写入；向所述至少一个字线驱动器提供字线电源(PH)信号、字线接通控制(GR)信号和字线断开控制(PHF)信号；以及调整所述PH信号、所述GR信号和所述PHF信号的定时以减少或消除所述字线驱动器的组件的不导电应力(NCS)条件、时间相关的温度不稳定性(TDDB)条件，或其组合。

附图说明

在阅读以下详细描述并且参考附图之后可以更好地理解本公开的各个方面，在附图中：

图1是根据实施例的说明存储器装置的组织的框图，所述存储器装置可包含安置在存储器控制器中的可靠性改进系统(RIS)；

图2是根据实施例的个别字线驱动器的简化阵列的框图，所述个别字线驱动器中的每一个可以可操作地耦合到一或多个字线和图1的RIS；