[发明专利]一种抑制厚外延层半导体器件寄生BJT的方法及结构在审
| 申请号： | 201910693631.9 | 申请日： | 2019-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN112259536A | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 胡德霖;胡醇;田甜;柯胜;徐小雷;蒋莹;张恒也;黄涛;管逸恬 | 申请（专利权）人： | 苏州电器科学研究院股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215104 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 外延 半导体器件 寄生 bjt 方法 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种抑制厚外延层半导体器件寄生BJT的方法及结构，其特征在于，结构为环绕重掺杂(280)和多晶抽取棒(290)。
2.根据权利要求1所述的一种抑制厚外延层半导体器件寄生BJT的方法及结构，其特征在于，环绕重掺杂(280)为且不限为杂质注入、扩散方法形成，掺杂类型与多晶抽取棒(290)一致。多晶抽取棒(290)为且不限为ICP填充方法形成，掺杂浓度大于1E16cm-3，掺杂类型与环绕重掺杂(280)一致。电学性能上，环绕重掺杂(280)与有源区域不相连，与多晶抽取棒(290)相连。
3.根据权利要求1所述的一种抑制厚外延层半导体器件寄生BJT的方法及结构，其特征在于，环绕重掺杂(280)与多晶抽取棒(290)共同组成抽取外延层中的非平衡载流子的机构，与衬底(100)的电势保持一致，能够有效抽取厚外延(200)中的非平衡载流子，达到抑制厚外延层半导体器件寄生BJT的目的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
