[发明专利]成膜方法和成膜装置

权利要求书

1.一种成膜方法，包括：

第一成膜工序，使用第一高频电力来生成含有含氧气体、SiF₄气体以及SiCl₄气体、且SiCl₄气体与SiF₄气体的流量比为第一流量比的混合气体的等离子体，并利用所生成的等离子体来在氧化物半导体上形成第一氧化硅膜；以及

第二成膜工序，使用第二高频电力来生成含有含氧气体、SiF₄气体以及SiCl₄气体、且SiCl₄气体与SiF₄气体的流量比为第二流量比的混合气体的等离子体，并利用所生成的等离子体来在所述第一氧化硅膜上形成第二氧化硅膜，

其中，所述第一高频电力低于所述第二高频电力，

所述第一流量比小于所述第二流量比。

2.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

在所述第一成膜工序与所述第二成膜工序之间还包括将所述第一氧化硅膜暴露在氧气的等离子体中的暴露工序。

3.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，

所述第一氧化硅膜的厚度比所述第二氧化硅膜的厚度薄。

4.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，

还包括利用含有含氮气体、SiF₄气体以及SiCl₄气体的混合气体的等离子体来在所述第二氧化硅膜上形成氮化硅膜的第三成膜工序。

5.根据权利要求4所述的成膜方法，其特征在于，

所述第一氧化硅膜、所述第二氧化硅膜以及所述氮化硅膜构成薄膜晶体管的钝化层、栅绝缘层和层间绝缘膜中的至少任一方。

6.根据权利要求4所述的成膜方法，其特征在于，

还包括在所述氮化硅膜上形成有机膜的第四成膜工序。

7.一种成膜装置，具备：

腔室，其用于形成保护氧化物半导体的保护膜；

气体供给部，其向所述腔室内供给处理气体；

等离子体生成部，其在所述腔室内生成所述处理气体的等离子体；以及

控制部，

其中，所述控制部执行以下工序；

第一成膜工序，使用第一高频电力来生成含有含氧气体、SiF₄气体以及SiCl₄气体、且SiCl₄气体与SiF₄气体的流量比为第一流量比的混合气体的等离子体，并利用所生成的等离子体来在所述氧化物半导体上形成第一氧化硅膜；以及

第二成膜工序，使用第二高频电力来生成含有含氧气体、SiF₄气体以及SiCl₄气体、且SiCl₄气体与SiF₄气体的流量比为第二流量比的混合气体的等离子体，并利用所生成的等离子体来在所述第一氧化硅膜上形成第二氧化硅膜，

所述第一高频电力低于所述第二高频电力，

所述第一流量比小于所述第二流量比。