[发明专利]成膜方法和成膜装置

说明书

本发明提供一种成膜方法和成膜装置，用于在形成氧化物半导体的保护膜时减少等离子体对氧化物半导体给予的损伤。成膜方法包括：第一成膜工序，使用第一高频电力来生成含有含氧气体、SiF₄气体以及SiCl₄气体、且SiCl₄气体与SiF₄气体的流量比为第一流量比的混合气体的等离子体，并在氧化物半导体上形成第一氧化硅膜；以及第二成膜工序，使用第二高频电力来生成含有含氧气体、SiF₄气体以及SiCl₄气体、且SiCl₄气体与SiF₄气体的流量比为第二流量比的混合气体的等离子体，并在第一氧化硅膜上形成第二氧化硅膜，其中，第一高频电力低于第二高频电力，第一流量比小于第二流量比。

技术领域

本公开涉及一种成膜方法和成膜装置。

背景技术

近年来，作为用于实现薄型的显示器的技术，正在推进薄膜晶体管(TFT：ThinFilm Transistor)的利用。从高电子移动度、低消耗电力等观点出发，对TFT的沟道使用由铟(In)、镓(Ga)以及锌(Zn)构成的氧化物半导体、所谓的IGZO。IGZO在非晶体状态下也具有比较高的电子移动度。因此，通过对TFT的沟道使用IGZO等氧化物半导体，能够实现高速的开闭动作。

另外，在TFT中，为了保护氧化物半导体不受外界的离子、水分的影响，通常利用保护膜覆盖氧化物半导体。例如，已知一种利用含有含氧气体、氟化硅(SiF₄)气体以及氯化硅(SiCl₄)气体的处理气体的等离子体来在氧化物半导体上形成氧化硅(SiO)膜作为保护膜的技术。

专利文献1：日本特开2017-11058号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种能够在形成氧化物半导体的保护膜时减少等离子体对氧化物半导体给予的损伤的技术。

用于解决问题的方案

本公开的一个方式的成膜方法包括：第一成膜工序，使用第一高频电力来生成含有含氧气体、SiF₄气体以及SiCl₄气体、且SiCl₄气体与SiF₄气体的流量比为第一流量比的混合气体的等离子体，并利用所生成的等离子体来在氧化物半导体上形成第一氧化硅膜；以及第二成膜工序，使用第二高频电力来生成含有含氧气体、SiF₄气体以及SiCl₄气体、且SiCl₄气体与SiF₄气体的流量比为第二流量比的混合气体的等离子体，并利用所生成的等离子体来在所述第一氧化硅膜上形成第二氧化硅膜，其中，所述第一高频电力低于所述第二高频电力，所述第一流量比小于所述第二流量比。

发明的效果

根据本公开，起到能够在形成氧化物半导体的保护膜时减少等离子体对氧化物半导体给予的损伤的效果。

附图说明

图1是示出一个实施方式所涉及的成膜装置的结构的一例的概要截面图。

图2是示出TFT的结构的一例的截面图。

图3是示出钝化层的成膜处理的一例的流程图。

图4A～图4D是用于说明钝化层的成膜处理的一例的图。

图5是示出第一成膜工序中的第一高频电力与TFT的S(亚阈值摆幅)值之间的关系的一例的图。

图6是示出第一成膜工序中的第一流量比与TFT的S值之间的关系的一例的图。