[发明专利]扇出型封装方法及封装结构

权利要求书

1.一种扇出型封装方法，其特征在于，包括：

提供承载基板；

在所述承载基板上形成临时键合层；

提供芯片，所述芯片包括露出焊垫的芯片正面；

在所述芯片正面形成永久键合层；

使所述永久键合层和临时键合层相对设置，将所述芯片临时键合于所述承载基板上；

在所述承载基板上形成封装层，所述封装层至少填充满所述芯片之间的空间且包覆所述永久键合层的侧壁以及所述芯片的侧壁；

形成所述封装层后，进行解键合处理，去除所述临时键合层和所述承载基板；

在所述解键合处理后，刻蚀所述永久键合层，形成露出所述焊垫的开口；

在所述开口中形成电连接所述焊垫的再布线结构。

2.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述提供芯片的步骤包括：提供集成有多个所述芯片的器件晶圆，所述器件晶圆包括露出所述焊垫的晶圆正面；

在所述芯片正面形成所述永久键合层的步骤包括：在所述晶圆正面形成永久键合膜；切割所述器件晶圆和永久键合膜，获得多个分立的所述芯片以及形成于所述芯片正面的所述永久键合层。

3.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，形成所述再布线结构的步骤包括：形成覆盖所述封装层和永久键合层的介质层，所述介质层还形成于所述开口中；

图形化所述介质层，在所述介质层内形成与所述开口相连通的互连槽；

向所述互连槽和开口内填充导电材料，所述导电材料还覆盖所述介质层顶部；

图形化所述导电材料，形成位于所述互连槽和开口内的互连柱、以及覆盖所述互连柱顶部和部分所述介质层顶部的互连线，所述互连线和互连柱构成所述再布线结构。

4.如权利要求1或2所述的封装方法，其特征在于，采用贴膜工艺，在所述芯片正面形成所述永久键合层。

5.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，形成所述封装层的步骤中，所述封装层覆盖所述芯片。

6.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述永久键合层为芯片键合膜或干膜。

7.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述永久键合层的厚度小于或等于20微米。

8.如权利要求1或7所述的封装方法，其特征在于，所述永久键合层的厚度为10微米至20微米。

9.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺，刻蚀所述永久键合层。

10.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，采用热压成型工艺，形成所述封装层。

11.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述封装方法还包括：在所述再布线结构顶部形成凸块结构。

12.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述临时键合层为热解膜、UV胶或激光解离层。

13.一种扇出型封装结构，其特征在于，包括：

封装层，包括相对的第一面和第二面；

芯片，从所述封装层的第一面嵌于所述封装层中，所述芯片包括露出焊垫的芯片正面，所述芯片正面低于所述封装层的第一面，且所述封装层露出所述芯片正面；

永久键合层，从所述封装层的第一面嵌于所述封装层中且覆盖所述芯片正面，所述永久键合层中形成有开口，所述开口露出所述焊垫；

再布线结构，位于所述开口中且电连接所述焊垫。

14.如权利要求13所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：介质层，覆盖所述封装层的第一面和所述永久键合层的顶面，所述介质层内形成有与所述开口相连通的互连槽；

所述再布线结构包括：互连柱，位于所述互连槽和开口中；互连线，覆盖所述互连柱顶部和部分所述介质层顶部。