[发明专利]扇出型封装方法及封装结构

说明书

一种扇出型封装方法及封装结构，封装方法包括：提供承载基板；在承载基板上形成临时键合层；提供芯片，包括露出焊垫的芯片正面；在芯片正面形成永久键合层；使永久键合层和临时键合层相对设置，将芯片临时键合于承载基板上；在承载基板上形成封装层，至少填充满芯片之间的空间且包覆永久键合层侧壁和芯片侧壁；进行解键合处理；在解键合处理后，刻蚀永久键合层形成露出焊垫的开口；在开口中形成电连接焊垫的再布线结构。本发明在芯片的芯片正面形成永久键合层，由于永久键合层的粘结力更强，能够降低在形成封装层的过程中发生芯片偏移问题的概率，而且，能够避免因解键合处理后的残胶问题而对再布线结构和焊垫的电连接性能产生影响。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种扇出型封装方法及封装结构。

背景技术

随着超大规模集成电路的发展趋势，市场也日益需求体积小、密度高、封装薄的微电子产品。目前，先进的封装方法包括晶圆级芯片封装(wafer level chip Scalepackaging，WLCSP)、扇出型晶圆级封装(fan-out wafer level package，FOWLP)、倒装芯片(flip chip)和叠层封装(package on package，POP)等。

扇出型封装技术的封装高度和封装尺寸大幅度降低，同时其散热性能和信号完整性能良好，且可以在裸芯片周围直接实施电磁屏蔽。因此，扇出型封装技术作为一种小型化高密度的先进封装技术，会成为下一代紧凑型、高性能的电子设备的基础。

发明内容

本发明实施例解决的问题是提供一种扇出型封装方法及封装结构，提高封装可靠性。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种扇出型封装方法，包括：提供承载基板；在所述承载基板上形成临时键合层；提供芯片，所述芯片包括露出焊垫的芯片正面；在所述芯片正面形成永久键合层；使所述永久键合层和临时键合层相对设置，将所述芯片临时键合于所述承载基板上；在所述承载基板上形成封装层，所述封装层至少填充满所述芯片之间的空间且包覆所述永久键合层的侧壁以及所述芯片的侧壁；形成所述封装层后，进行解键合处理，去除所述临时键合层和所述承载基板；在所述解键合处理后，刻蚀所述永久键合层，形成露出所述焊垫的开口；在所述开口中形成电连接所述焊垫的再布线结构。

可选的，所述提供芯片的步骤包括：提供集成有多个所述芯片的器件晶圆，所述器件晶圆包括露出所述焊垫的晶圆正面；在所述芯片正面形成所述永久键合层的步骤包括：在所述晶圆正面形成永久键合膜；切割所述器件晶圆和永久键合膜，获得多个分立的所述芯片以及形成于所述芯片正面的所述永久键合层。

可选的，形成所述再布线结构的步骤包括：形成覆盖所述封装层和永久键合层的介质层，所述介质层还形成于所述开口中；图形化所述介质层，在所述介质层内形成与所述开口相连通的互连槽；向所述互连槽和开口内填充导电材料，所述导电材料还覆盖所述介质层顶部；图形化所述导电材料，形成位于所述互连槽和开口内的互连柱、以及覆盖所述互连柱顶部和部分所述介质层顶部的互连线，所述互连线和互连柱构成所述再布线结构。

可选的，采用贴膜工艺，在所述芯片正面形成所述永久键合层。

可选的，形成所述封装层的步骤中，所述封装层覆盖所述芯片。

可选的，所述永久键合层为芯片键合膜或干膜。

可选的，所述永久键合层的厚度小于或等于20微米。

可选的，所述永久键合层的厚度为10微米至20微米。

可选的，采用干法刻蚀工艺，刻蚀所述永久键合层。

可选的，采用热压成型工艺，形成所述封装层。

可选的，所述封装方法还包括：在所述再布线结构顶部形成凸块结构。

可选的，所述临时键合层为热解膜、UV胶或激光解离层。