[发明专利]多芯片数据烧写测试方法有效
申请号: | 201910698626.7 | 申请日: | 2019-07-31 |
公开(公告)号: | CN110376510B | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | 黄序;索鑫 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G01R31/28 | 分类号: | G01R31/28;G06F8/61 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 数据 测试 方法 | ||
1.一种多芯片数据烧写测试方法,其特征在于,设定多芯片的总数为N,其中N为大于1的整数,还包括:
步骤一,配置一组数据,所述一组数据包括M个数据,其中M为大于1的整数,且MN;
步骤二,将配置后的一组数据通过数据缓冲存储器传输;
步骤三,进入数据烧写模式;
步骤四,将数据缓冲存储器中的一个数据一一对应多芯片中一个未烧写的芯片,对M个数据匹配对应的芯片同时并列执行烧写测试;
步骤五,重复循环步骤一至步骤四,以完成所有芯片的数据烧写测试;
其中,根据【N/(M+1)+1】计算步骤一至步骤四的循环次数,且N/(M+1)取整数,再根据计算出的所述循环次数计算烧写测试时间。
2.如权利要求1所述的多芯片数据烧写测试方法,其特征在于,根据(T5+T6+T7+T8)×【N/(M+1)+1】计算烧写测试时间,其中一组数据通过数据缓冲存储器的传输时间为T5,进入数据烧写模式的时间为T6,数据烧写的时间为T7,配置一组数据的时间为T8。
3.如权利要求1所述的多芯片数据烧写测试方法,其特征在于,根据(T6+T7+T8)×【N/(M+1)+1】计算烧写测试时间,其中进入数据烧写模式的时间为T6,数据烧写的时间为T7,配置一组数据的时间为T8。
4.如权利要求1所述的多芯片数据烧写测试方法,其特征在于,所述数据缓冲存储器传输的一组数据的个数为奇数。
5.如权利要求1所述的多芯片数据烧写测试方法,其特征在于,所述数据缓冲存储器传输的一组数据的个数为偶数。
6.如权利要求1所述的多芯片数据烧写测试方法,其特征在于,所述数据缓冲存储器传输的一组数据的个数为2n,其中n为正整数。
7.如权利要求5或6所述的多芯片数据烧写测试方法,其特征在于,所述数据缓冲存储器传输的一组数据的个数为16。
8.如权利要求1所述的多芯片数据烧写测试方法,其特征在于,所述步骤一和步骤三的顺序互换。
9.如权利要求1所述的多芯片数据烧写测试方法,其特征在于,在所述步骤五中进行最后一次循环时,芯片的个数小于或者等于一组数据中的数据个数。
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