[发明专利]多芯片数据烧写测试方法有效

专利信息
申请号: 201910698626.7 申请日: 2019-07-31
公开(公告)号: CN110376510B 公开(公告)日: 2021-08-20
发明(设计)人: 黄序;索鑫 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28;G06F8/61
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 芯片 数据 测试 方法
【权利要求书】:

1.一种多芯片数据烧写测试方法,其特征在于,设定多芯片的总数为N,其中N为大于1的整数,还包括:

步骤一,配置一组数据,所述一组数据包括M个数据,其中M为大于1的整数,且MN;

步骤二,将配置后的一组数据通过数据缓冲存储器传输;

步骤三,进入数据烧写模式;

步骤四,将数据缓冲存储器中的一个数据一一对应多芯片中一个未烧写的芯片,对M个数据匹配对应的芯片同时并列执行烧写测试;

步骤五,重复循环步骤一至步骤四,以完成所有芯片的数据烧写测试;

其中,根据【N/(M+1)+1】计算步骤一至步骤四的循环次数,且N/(M+1)取整数,再根据计算出的所述循环次数计算烧写测试时间。

2.如权利要求1所述的多芯片数据烧写测试方法,其特征在于,根据(T5+T6+T7+T8)×【N/(M+1)+1】计算烧写测试时间,其中一组数据通过数据缓冲存储器的传输时间为T5,进入数据烧写模式的时间为T6,数据烧写的时间为T7,配置一组数据的时间为T8。

3.如权利要求1所述的多芯片数据烧写测试方法,其特征在于,根据(T6+T7+T8)×【N/(M+1)+1】计算烧写测试时间,其中进入数据烧写模式的时间为T6,数据烧写的时间为T7,配置一组数据的时间为T8。

4.如权利要求1所述的多芯片数据烧写测试方法,其特征在于,所述数据缓冲存储器传输的一组数据的个数为奇数。

5.如权利要求1所述的多芯片数据烧写测试方法,其特征在于,所述数据缓冲存储器传输的一组数据的个数为偶数。

6.如权利要求1所述的多芯片数据烧写测试方法,其特征在于,所述数据缓冲存储器传输的一组数据的个数为2n,其中n为正整数。

7.如权利要求5或6所述的多芯片数据烧写测试方法,其特征在于,所述数据缓冲存储器传输的一组数据的个数为16。

8.如权利要求1所述的多芯片数据烧写测试方法,其特征在于,所述步骤一和步骤三的顺序互换。

9.如权利要求1所述的多芯片数据烧写测试方法,其特征在于,在所述步骤五中进行最后一次循环时,芯片的个数小于或者等于一组数据中的数据个数。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司,未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910698626.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top