[发明专利]多芯片数据烧写测试方法

说明书

本发明提供一种多芯片数据烧写测试方法，设定多芯片的总数为N，其中N为大于1的整数，包括：步骤一，配置一组数据，所述一组数据包括M个数据，其中M为大于1的整数，且MN；步骤二，将配置后的一组数据通过数据缓冲存储器传输；步骤三，进入数据烧写模式；步骤四，将数据缓冲存储器中的一个数据一一对应多芯片中一个未烧写的芯片，对M个数据匹配对应的芯片同时并列执行烧写测试；步骤五，重复循环步骤一至步骤四，以完成所有芯片的数据烧写测试。本发明能够提高多芯片数据烧写的测试效率，降低测试成本。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，特别涉及一种多芯片数据烧写测试方法。

背景技术

在集成电路技术领域中，半导体芯片需要进行数据烧写测试。由于每个芯片的烧写数据的日期、时间、序列号中至少有一项数据是不相同的，因此，对多芯片进行烧写数据测试时，每个芯片烧写的数据均是不同的。本领域中对于多芯片的数据烧写方法，常使用数据产生器(Data Generator，DG)作为数据源，该数据产生器每次只能传输一个数据对应一个芯片进行烧写，配置新的数据后通过数据产生器传输到另一个芯片进行烧写，循环多次后，完成对所有芯片的烧写测试。例如科利登(Credence)公司生产的型号为KALOSI的多芯片烧写测试系统，其使用数据产生器(Data Generator，DG)作为数据源对多芯片逐一进行串行烧写测试，由于数据产生器(Data Generator，DG)每次只能产生一个数据源对芯片进行烧写，从而导致测试效率降低，增加了测试成本。

图1是现有技术的多芯片数据烧写测试方法的流程图。请参考图1，该多芯片数据烧写测试方法如下：

步骤一，开始；

步骤二，配置一个数据，配置时间为T4；

步骤三，数据产生器传输一个配置后的数据，数据传输的时间为T1；

步骤四，进入数据烧写模式，进入烧写模式的时间为T2；

步骤五，对多芯片中的一个未烧写的芯片进行数据烧写，一个芯片的数据烧写时间为T3；

步骤六，重复循环步骤二至步骤五，以完成所有芯片的数据烧写测试；

步骤七，结束。

该多芯片数据烧写测试方法中的烧写测试时间为TA＝(T₂+T₃+T₄)×K，其中步骤二至步骤五的循环次数为K，数据传输的时间T1为纳秒级，故T1可以忽略不计；进入烧写模式时间T2、数据烧写时间T3和配置时间T4均为毫秒级，故T2、T3和T4需要重点考虑，设定多芯片的总数为N，由于数据产生器每次传输一个数据对一个芯片进行烧写，故K＝N，根据上述公式可知，多芯片要进行所有数据烧写测试时，需要循环K次。以32个芯片进行烧写测试为例，假设T2＝2ms，T3＝10ms，T4＝2ms，则该多芯片数据烧写测试时间TA＝(2+10+2)×32＝448ms。因此，现有技术中多芯片数据烧写测试方法存在测试效率低，测试成本高的缺陷。

发明内容

本发明的目的在于提供一种多芯片数据烧写测试方法，以提高多芯片数据烧写的测试效率，降低测试成本。

为了达到上述目的，本发明一种多芯片数据烧写测试方法，设定多芯片的总数为N，其中N为大于1的整数，还包括：

步骤一，配置一组数据，所述一组数据包括M个数据，其中M为大于1的整数，且MN；

步骤二，将配置后的一组数据通过数据缓冲存储器传输；

步骤三，进入数据烧写模式；

步骤四，将数据缓冲存储器中的一个数据一一对应多芯片中一个未烧写的芯片，对M个数据匹配对应的芯片同时并列执行烧写测试；

步骤五，重复循环步骤一至步骤四，以完成所有芯片的数据烧写测试。