[发明专利]半导体存储装置以及该半导体存储装置的刷新方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，包括：

多个存储体；以及

刷新控制电路，其被配置为：在每多个周期中，以第一刷新率对所述多个存储体中的至少一个存储体执行刷新操作，并且以第二刷新率对所述多个存储体中的其他存储体执行刷新操作，

其中，所述刷新控制电路使以所述第一刷新率对其执行了刷新操作的所述至少一个存储体在多个周期中的每一个周期或每多于一个的周期中循环。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，当以所述第一刷新率执行所述刷新操作时，在一个周期中刷新一个单位单元阵列，以及其中，当以所述第二刷新率执行所述刷新操作时，在一个周期中刷新两个单位单元阵列。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，在第一刷新模式中，在每多个周期中，所述刷新控制电路以所述第一刷新率对所述多个存储体中的一个存储体执行所述刷新操作并且以所述第二刷新率对其他存储体执行所述刷新操作，以及其中，在第二刷新模式中，在每多个周期中，所述刷新控制电路以所述第一刷新率对所述多个存储体中的两个存储体执行所述刷新操作并且以所述第二刷新率对其他存储体执行所述刷新操作。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述刷新控制电路对所述多个存储体的在多个周期中未被刷新的单位单元阵列执行附加的刷新操作。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中，以所述第一刷新率和所述第二刷新率中的一个来执行所述附加的刷新操作。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述多个存储体包括第一存储体、第二存储体、第三存储体和第四存储体，其中所述第一存储体、所述第二存储体、所述第三存储体和所述第四存储体中的每个存储体包括第一单位单元阵列至第2n单位单元阵列，其中n是等于或大于2的整数，并且其中所述刷新控制电路通过n+1个周期对所述第一存储体至所述第四存储体执行所述刷新操作。

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中，在第一周期期间，所述刷新控制电路对所述第一存储体的第一单位单元阵列执行刷新操作，并且对所述第二存储体、所述第三存储体和所述第四存储体的第一单位单元阵列和第n+1单位单元阵列执行刷新操作。

8.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其中，在第二周期期间，所述刷新控制电路对所述第二存储体的第二单位单元阵列执行刷新操作，并且对所述第一存储体、所述第三存储体和所述第四存储体的第二单位单元阵列和第n+2单位单元阵列执行刷新操作。

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中，在第三周期期间，所述刷新控制电路对所述第三存储体的第三单位单元阵列执行刷新操作，并且对所述第一存储体、所述第二存储体和所述第四存储体的第三单位单元阵列和第n+3单位单元阵列执行刷新操作。

10.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其中，在第四周期期间，所述刷新控制电路对所述第四存储体的第四单位单元阵列执行刷新操作，并且对所述第一存储体至所述第三存储体的第四单位单元阵列和第n+4单位单元阵列执行刷新操作。

11.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其中，在第n+1周期期间，所述刷新控制电路对所述第一存储体的第n+1单位单元阵列、所述第二存储体的第n+2单位单元阵列、所述第三存储体的第n+3单位单元阵列和所述第四存储体的第n+4单位单元阵列执行刷新操作。

12.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中，在第一周期期间，所述刷新控制电路对所述第一存储体和所述第二存储体的第一单位单元阵列执行刷新操作，并且对所述第三存储体和所述第四存储体的第一单位单元阵列和第n+1单位单元阵列执行刷新操作。